[发明专利]半导体加工设备

摘要

本发明提供的半导体加工设备，其包括反应腔室和设置在其内部的加热装置，该加热装置包括加热灯组、位于该加热灯组上方的石英盖、至少一个隔热部件和控制单元，其中，加热灯组的数量为至少两组，且对应于被加工工件的不同区域间隔排布；至少一个隔热部件用于使各组加热灯组产生的热量相互隔离；控制单元用于在进行工艺时，根据预先获得的被加工工件不同区域的薄膜电阻值的分布以及被加工工件不同区域的温度与薄膜电阻值的对应关系，调节施加到各组加热灯组上的功率，从而调节被加工工件不同区域的薄膜电阻值分布，本发明提供的半导体加工设备，其可以在不影响薄膜厚度均匀性的前提下，提高薄膜电阻均匀性。

主权项

1.一种半导体加工设备，用于在被加工工件上沉积形成金属化合物薄膜，包括反应腔室和设置在其内部的加热装置，所述加热装置包括加热灯组和位于所述加热灯组上方的石英盖，所述石英盖用于承载所述被加工工件；所述加热灯组用于透过所述石英盖对所述被加工工件进行辐射加热，其特征在于，所述加热灯组的数量为至少两组，且对应于所述被加工工件的不同区域间隔排布；其中，每组加热灯组采用环形结构，且所述至少两组加热灯组分别环绕在与所述被加工工件不同半径的圆周处相对应的位置处，或者所述至少两组加热灯组沿所述被加工工件的周向间隔排布，以实现在金属化合物薄膜沉积过程中调节被加工工件不同区域的薄膜电阻值分布；并且所述加热装置还包括至少一个隔热部件，用以使各组加热灯组产生的热量相互隔离；所述加热装置还包括控制单元，所述控制单元用于在进行工艺时，根据预先获得的所述被加工工件不同区域的薄膜电阻值的分布以及被加工工件不同区域的温度与薄膜电阻值的对应关系，调节施加到各组加热灯组上的功率，从而调节所述被加工工件不同区域的薄膜电阻值分布。