[发明专利]半导体装置

摘要

本发明涉及在半导体装置及包含半导体装置的系统形成期间使用交替间隔物沉积的间距减小技术。一种用于对层进行图案化的方法增加使用一系列自对准间隔物在初始图案化层上方形成的特征的密度。提供待蚀刻层，然后在所述待蚀刻层上方形成例如使用光学光刻形成的初始牺牲图案化层。视实施例而定，可修整所述图案化层，然后形成并蚀刻一系列间隔物层。间隔物层的数目及其目标尺寸取决于特征密度的所期望增加。还描述一种处理过程中的半导体装置及电子系统。

主权项

一种半导体装置，其包括：待蚀刻层；及蚀刻掩模，其位于所述待蚀刻层上，所述蚀刻掩模包括多个三个一组的间隔物，所述三个一组的间隔物包含第一间隔物，该第一间隔物在表面上由第二间隔物所包夹，所述三个一组的间隔物的每一者均具有不同的垂直厚度，且所述第二间隔物与所述第一间隔物接触，其中所述第一间隔物的垂直厚度比包夹它的所述第二间隔物的任一者的垂直厚度都厚。