[发明专利]用于常关化合物半导体晶体管的栅极堆叠有效
| 申请号： | 201410270020.0 | 申请日： | 2014-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN104241350B | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | G·库拉托拉 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/335;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华,张宁 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的实施例涉及一种用于常关化合物半导体晶体管的栅极堆叠。常关化合物半导体晶体管包括异质结构体和在异质结构体上的栅极堆叠。异质结构体包括源极、与源极间隔开的漏极和用于连接源极和漏极的沟道。沟道包括由于压电效应在异质结构体中出现的第一极性的第一二维电荷载流子气。栅极堆叠控制栅极堆叠下方的异质结构体区域中的沟道。栅极堆叠包括至少一种III族氮化物材料，该材料由于压电效应在栅极堆叠中或在栅极堆叠下方的异质结构体中产生与第一极性相反的第二极性的第二二维电荷载流子气。第二二维电荷载流子气使第一二维电荷载流子气中的极化电荷反向平衡，从而沟道在栅极堆叠下方被破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 化合物 半导体 晶体管 栅极 堆叠 | ||
【主权项】：
一种常关化合物半导体晶体管，包括：异质结构体，包括源极、与所述源极间隔开的漏极和用于连接所述源极和所述漏极的沟道，所述沟道包括由于压电效应在所述异质结构体中出现的第一极性的第一二维电荷载流子气；以及在所述异质结构体上的栅极堆叠，用于控制所述栅极堆叠下方的异质结构体区域中的沟道，所述栅极堆叠包括至少一种III族氮化物材料，所述至少一种III族氮化物材料由于压电效应在所述栅极堆叠中或在所述栅极堆叠下方的异质结构体中产生与所述第一极性相反的第二极性的第二二维电荷载流子气，所述第二二维电荷载流子气使所述第一二维电荷载流子气中的极化电荷反向平衡，从而在缺乏施加至所述栅极堆叠的栅极电压的情形下，所述沟道在所述栅极堆叠下方被破坏，其中所述第二二维电荷载流子气与所述源极和所述漏极间隔开，并且与所述源极和所述漏极在电学上断开，其中所述异质结构体包括GaN缓存区和在所述GaN缓存区上的GaN合金势垒区，其中所述GaN缓存区、所述GaN合金势垒和所述栅极堆叠的所述至少一种III族氮化物是平面的；其中所述栅极堆叠不具有P型掺杂的III族氮化物材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技奥地利有限公司，未经英飞凌科技奥地利有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410270020.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
