[发明专利]一种基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201410268289.5 | 申请日: | 2014-06-16 |
公开(公告)号: | CN104103645B | 公开(公告)日: | 2017-03-29 |
发明(设计)人: | 孔祥永;刘凤娟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/50;H01L29/41;H01L21/84;H01L21/28 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种基板及其制作方法、显示装置,用以解决在衬底的铝电极上形成绝缘层时绝缘层存在断层的问题。所述基板包括位于衬底上具有第一设定图形的铝电极,还包括与所述铝电极同层设置的具有第二设定图形的氧化铝层或氮化铝层;所述第一设定图形和所述第二设定图形互补。 | ||
搜索关键词: | 一种 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种基板的制作方法,其特征在于,包括:在衬底上形成具有第一设定图形的铝电极的过程,以及同时在所述衬底上形成与所述铝电极同层设置的具有第二设定图形的氧化铝层或氮化铝层的过程;所述第一设定图形和所述第二设定图形互补;所述铝电极与所述氧化铝层或氮化铝层的高度差为大于0nm且小于等于700nm;形成所述铝电极和所述氧化铝层或氮化铝层的过程,具体为:在衬底上形成第一设定厚度的铝层;在所述铝层上待形成所述铝电极的区域形成保护层,露出所述保护层对应区域之外的铝层;将形成有所述保护层的衬底置于通有氧气或氮气的退火设备进行退火,所述露出的铝层形成所述氧化铝层或氮化铝层,保护层正下方的铝层形成所述铝电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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