[发明专利]一种RFMEMS器件光刻胶牺牲层的释放方法

摘要

本发明公开了RF MEMS器件制造领域的一种RF MEMS器件光刻胶牺牲层的释放方法，主要包括去膜剂浸泡、去离子水浸泡、异丙醇浸泡、环己烷浸泡和快速冷冻升华干燥步骤。过程中所用材料环保，且对器件上的金属膜层无损伤；采用本发明的技术方案，可以使光刻胶牺牲层100％释放，悬浮微结构成品率高，释放后的RF MEMS器件表面干净、亮泽。

主权项

一种RF MEMS器件光刻胶牺牲层的释放方法，其特征在于包括以下步骤：①将需要进行牺牲层释放的RF MEMS器件放入60℃±5℃的去膜剂中浸泡90min～150min；②将步骤①处理后的RF MEMS器件取出，再放入去离子水中浸泡3～5遍，放入去离子水中浸泡总时间不小于15min，放入去离子水中浸泡过程最初的1min～2min进行超声波处理；③将步骤②处理后的RF MEMS器件取出，再用异丙醇浸泡3～5遍，用异丙醇浸泡总时间不小于15小时，用异丙醇浸泡过程最初的1min～2min进行超声波处理；④将步骤③处理后的RF MEMS器件取出，再用环己烷浸泡3～5遍，用环己烷浸泡总时间不小于15小时，用环己烷浸泡过程最初的1min～2min进行超声波处理；⑤将冷冻升华干燥装置的高低温平台的温度设置为‑10℃±2℃，充入的氮气的压力设置为0.35MPa±0.05MPa，将步骤④处理后的RF MEMS器件取出后放置在高低温平台上，放置7min～10min，待环己烷完全升华后，将高低温平台温度升至室温，稳定3min～5min后取出RF MEMS器件；完成RF MEMS器件光刻胶牺牲层的释放。