[发明专利]半导体装置的制造方法有效
申请号: | 201410261080.6 | 申请日: | 2014-06-12 |
公开(公告)号: | CN104253018B | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | 田中阳子 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 俞丹 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种半导体装置的制造方法,能够减少用于去除半导体晶片的环状增强部时的工数,并能减少裂纹或碎片掉落。该半导体装置的制造方法将半导体晶片切割成多个半导体装置,该半导体晶片在背面的中央部具有厚度比外周部要薄的凹部,且在外周部具有环状增强部,在凹部中具有形成多个半导体装置的半导体元件区域、以及由半导体元件区域以外的凹部构成的剩余区域,该制造方法包括:用粘接带将半导体晶片的背面安装到切割架上的安装工序;将安装在切割架上的半导体晶片的背面载放到具有比其凹部要小的凸部的工作台上,并从半导体晶片的正面侧切断半导体元件形成区域来将多个半导体装置一个个切割出来的切断工序;使粘接带的粘接力下降的粘接力下降工序;将环状增强部从粘接带剥离的剥离工序;以及去除环状增强部和剩余区域的去除工序。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,将包括以下结构的半导体晶片加以分割:使所述半导体晶片背面的中央部的厚度比外周端部薄而形成的凹部;形成在所述凹部外周的环状增强部;在所述凹部中用分割线划分形成的多个半导体元件区域;以及由除所述多个半导体元件区域以外的所述凹部构成的剩余区域,所述半导体装置的制造方法依次实施以下工序:用粘接带在所述半导体晶片的背面安装切割架的安装工序;将安装在所述切割架上的所述半导体晶片的背面载放到具有比所述凹部要小的凸部的工作台上,并沿着所述分割线从所述半导体晶片的正面侧将所述多个半导体元件区域切断,从而将所述多个半导体元件区域一个个分割开来的切断工序;从所述半导体晶片的背面侧使所述粘接带的粘接力下降的粘接力下降工序;将所述半导体晶片的背面载放到比所述凹部要小但比所述多个半导体元件区域要大的保持工作台上,在所述半导体晶片与所述切割架之间,使环状剥离治具从所述半导体晶片的正面侧开始下降,将所述粘接带向下压,从而将所述环状增强部从所述粘接带剥离的剥离工序;以及去除所述环状增强部及所述剩余区域的去除工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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