[发明专利]SOI NMOS ESD器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201410260799.8 | 申请日： | 2014-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN103996679A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 颜丙勇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/77;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种SOI NMOS ESD器件及其制备方法，通过在体硅区中位于沟道底部、且靠近并接触漏极区域侧边、远离源极区域和体硅区表面的位置形成ESD受主掺杂离子注入区，从而使得ESD受主掺杂离子注入区能够应用于SOI器件，此位置的ESD受主掺杂离子注入区可以引导ESD触发电流流经体硅区域，因体硅区域的深度范围比漏极区域更大，从而提高了静电释放效果，减小了漏极区域的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | soi nmos esd 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种SOI NMOS ESD器件，包括：一SOI衬底、在所述SOI衬底上具有体硅区、栅极、源极、和漏极，其特征在于，在所述体硅区内的沟道底部、且靠近并接触所述漏极区域的侧边的位置设置有ESD受主掺杂离子注入区；所述ESD受主掺杂离子注入区远离所述源极区域和所述体硅区表面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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