[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201410241729.8 | 申请日： | 2014-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN104218079B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 井上隆;中山达峰;冈本康宏;川口宏;竹胁利至;名仓延宏;永井隆行;三浦喜直;宫本广信 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件以及制造半导体器件的方法。提供一种具有改善特性的半导体器件。该半导体器件具有衬底以及其上的缓冲层，沟道层，势垒层，贯穿其间并到达沟道层内部的沟槽，经由栅绝缘膜配置在沟槽中的栅电极以及栅电极两侧上的势垒层上的漏和源电极。栅绝缘膜具有由第一绝缘膜制成并从沟槽的端部延伸至漏电极侧的第一部分以及由第一和第二绝缘膜制成并配置在漏电极相对于第一部分侧上的第二部分。能够通过减小漏电极侧上的沟槽的端部处的第一部分的厚度来降低导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：形成在衬底上方的第一氮化物半导体层；形成在所述第一氮化物半导体层的上方的第二氮化物半导体层，并且所述第二氮化物半导体层的带隙宽于所述第一氮化物半导体层的带隙；贯穿所述第二氮化物半导体层并且到达所述第一氮化物半导体层的内部的沟槽；经由栅绝缘膜被配置在所述沟槽中的栅电极；以及分别形成在所述栅电极两侧上的所述第二氮化物半导体层的上方的第一电极和第二电极，其中，所述栅绝缘膜具有第一部分和第二部分，所述第一部分从所述沟槽的端部延伸至所述第一电极侧并且位于所述沟槽的端部侧上，所述第二部分相对于所述第一部分而位于所述第一电极侧上，并且所述第二部分的膜厚度大于所述第一部分的膜厚度。
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