[发明专利]用于处理载体的方法和载体有效
| 申请号： | 201410232303.6 | 申请日： | 2014-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN104217983B | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | D.布迈斯特;A.格赖纳;T.豪克;D.凯泽;N.莫尔加纳;A.西雷;C.韦特齐希 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 马丽娜,胡莉莉 |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于处理载体的方法可以包括在载体上和载体中之中的至少一个形成至少一个凹进结构，并对所述至少一个凹进结构进行退火，使得由所述至少一个凹进结构的材料形成至少一个中空室，其中，所述至少一个中空室可以形成光学对准结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 载体 方法 | ||
【主权项】：
一种用于处理载体的方法，该方法包括：在载体上和载体中之中的至少一个形成至少两个凹进结构，其中，所述至少两个凹进结构中的每个包括多个凹进，其中，所述至少两个凹进结构中的第一凹进结构包括比所述至少两个凹进结构中的第二凹进结构更多的凹进；对所述至少两个凹进结构进行退火，使得由所述至少两个凹进结构的材料形成至少两个中空室，其中，所述至少两个中空室包括由第一凹进结构形成的第一中空室以及由第二凹进结构形成的第二中空室，其中，所述第一中空室的尺寸大于所述第二中空室的尺寸，其中，所述至少两个中空室形成光学对准结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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