[发明专利]用于处理载体的方法和载体

说明书

技术领域

各种实施例一般地涉及用于处理载体的方法、载体以及用于在载体中形成用于平版印刷过程的光学对准结构的方法。

背景技术

制造芯片或集成电路一般可以包括各种分层和图案化过程，例如以便处理功率芯片，并且因此在处理期间多个对准是必要的。根据这一点，在各过程期间、例如在分层、图案化或离子注入期间，被用于载体定位的对准标记可能在所述多个过程期间退化；并且因此可能是以较低的质量而可见的，并且可能是以较低的准确度可检测的，使得在制造芯片期间可能需要将对准标记刷新几次。在各种过程中，可利用附加材料覆盖对准标记，并且因此对准标记可能不适合于使能准确的对准。常用的对准标记可能在高处理温度下并不是稳定的，例如大于1000℃。

发明内容

一种用于处理载体的方法可包括以在载体上和载体中之中的至少一个形成至少一个凹进结构，并对所述至少一个凹进结构进行退火，使得由所述至少一个凹进结构的材料形成至少一个中空室，其中，所述至少一个中空室形成光学对准结构。

附图说明

在附图中，相似的附图标记一般遍及不同的视图指代相同的部分。附图不一定按比例，而是一般着重于图示本发明的原理。在以下描述中，参考以下各图来描述发明的各种实施例，在所述附图中：

图1示出了根据各种实施例的用于处理载体的方法的流程图；

图2A至图2E分别地示出了根据各种实施例的在处理期间的不同处理阶段的载体的截面图；

图3示出了根据各种实施例的提供凹进结构的凹进布置的顶视图；

图4A示出了根据各种实施例的光学对准结构或凹进结构的顶视图或示意图；

图4B示出了根据各种实施例的详细的凹进结构的顶视图或示意图；

图5示出了根据各种实施例的包括多个凹进的载体的截面的扫描电子显微图像及相应地示出其顶视图；

图6示出了根据各种实施例的已执行退火过程之后的包括中空室的载体的截面的扫描电子显微图像；

图7示出了根据各种实施例的包括正在中空室上沉积的附加层的载体的截面的扫描电子显微图像；以及

图8图示出根据各种实施例的深沟槽覆盖标记和掩埋式覆盖标记之间的比较。

具体实施方式

以下详细描述涉及以图示的方式示出具体细节和其中可实践本发明的实施例的附图。

词语“示例性”在本文中用来意指“充当示例、实例或图示”。不一定要将在本文中被描述为“示例性”的任何实施例或设计理解为相对于其他实施例或设计是优选的或有利的。

相对于在侧面或表面“之上”形成的沉积材料所使用的词语“之上”在本文中可以用来意指可以直接在暗指的侧面或表面上形成沉积材料，例如与之直接接触。相对于在侧面或表面“之上”形成的沉积材料所使用的词语“之上”可以在本文中用来意指可以间接地在暗指的侧面或表面上形成沉积材料，其中在暗指的侧面或表面与沉积材料之间布置有一个或多个附加层。

平版印刷过程期间的载体的正确对准可能是半导体器件、芯片或集成电路的制造中的重要方面。光学对准系统可使用例如光学显微镜来检测载体上的对准结构。可存在用于在载体上产生对准结构（或对准结构元件或对准标记）且用于检测载体上的对准结构的各种可能性。但是在载体经历制造的各种步骤的同时，这些常用的对准方法可能遭受问题的影响，即，可能以较低的准确度在光学系统中检测载体上的对准结构元件或对准标记。

例如，可在例如多个硅层的载体上沉积多个材料层，并且因此可在增加厚度的材料覆盖对准结构元件或对准标记的情况下，对准结构元件或对准标记在光学对准系统中是以较低准确度可检测的。进一步，例如，在制造过程期间用材料层来覆盖对准结构元件或对准标记，该对准结构元件或对准标记的形状、尺寸以及纵横比中的至少一个可以改变，并且因此，对准也许不可能具有必要的对准准确度，例如提供在纳米范围内的覆盖误差。进一步，常用的对准标记可以在热处理期间改变其尺寸、形状和位置中的至少一个，使得常用的对准结构可能并非遍及整个制造过程都是可靠的。