[发明专利]用于处理载体的方法和载体

权利要求书

1.一种用于处理载体的方法，该方法包括：

在载体上和载体中之中的至少一个形成至少两个凹进结构，其中，所述至少两个凹进结构中的每个包括多个凹进，其中，所述至少两个凹进结构中的第一凹进结构包括比所述至少两个凹进结构中的第二凹进结构更多的凹进；

对所述至少两个凹进结构进行退火，使得由所述至少两个凹进结构的材料形成至少两个中空室，其中，所述至少两个中空室包括由第一凹进结构形成的第一中空室以及由第二凹进结构形成的第二中空室，其中，所述第一中空室的尺寸大于所述第二中空室的尺寸，其中，所述至少两个中空室形成光学对准结构。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述至少两个凹进结构的材料包括硅。

3.根据权利要求1所述的方法，

其中，形成所述至少两个凹进结构包括形成至少三个凹进。

4.根据权利要求1所述方法，

其中，所述多个凹进中的每个凹进具有直立棱柱的形状。

5.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述多个凹进中的每个凹进具有从由以下各项组成的一组形状中选择的形状：

六边形直立棱柱；

八边形直立棱柱；以及

圆柱。

6.根据权利要求5所述的方法，

其中，每个凹进被形成为具有在从600nm至900nm的范围内的宽度。

7.根据权利要求5所述的方法，

其中，每个凹进被形成为具有在从0.5 µm至10 µm的范围内的深度。

8.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述多个凹进中的两个相邻凹进之间的间距在从0.8µm至1.5µm的范围内。

9.根据权利要求1所述的方法，

其中，在退火过程期间形成的所述至少两个中空室具有在从0.1µm至2µm的范围内的高度。

10.根据权利要求1所述的方法，

其中，在退火过程期间形成的所述至少两个中空室具有在从0.5 µm至10 µm的范围内的宽度。

11.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述至少两个中空室是在至少900℃的温度下通过退火过程而形成的。

12.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述光学对准结构被形成为由使用具有在从1000nm至1200nm的范围内的波长的光的红外对准工具可检测。

13.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述至少两个中空室在晶片的切口区域中被形成。

14.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述载体是硅晶片，并且所述至少两个中空室是通过从所述至少两个凹进结构开始的硅迁移而在退火过程期间形成的。

15.根据权利要求1所述的方法，

其中，形成至少两个凹进结构并对所述至少两个凹进结构进行退火包括形成多个凹进结构并对所述多个凹进结构进行退火，使得由所述多个凹进结构的相应材料形成多个中空室，其中，所述多个中空室形成光学对准结构。

16.根据权利要求15所述的方法，

其中，所述多个中空室中的每个中空室分别由包括至少三个凹进的凹进结构所形成。

17.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在光学对准结构上沉积至少一个外延层。

18.根据权利要求17所述的方法，

其中，所述至少一个外延层具有至少5 µm的层厚度。

19.一种载体，包括：

至少一个光学对准结构，其由布置在所述载体中的至少两个中空室所形成，其中，所述至少两个中空室包括由第一凹进结构形成的第一中空室以及由第二凹进结构形成的第二中空室，其中，所述第一中空室的尺寸大于所述第二中空室的尺寸。

20.根据权利要求19所述的载体，

其中，所述光学对准结构被配置成由红外光可检测。

21.根据权利要求19所述的载体，

其中，所述载体是硅晶片，并且所述至少两个中空室被布置在所述硅晶片中。

22.根据权利要求19所述的载体，

其中，用具有在从0.5µm至50µm的范围内的厚度的硅层来覆盖所述至少两个中空室。