[发明专利]一种去除烧结碳化硅反射镜的铝掺杂硅改性膜的方法无效

专利信息
申请号: 201410228167.3 申请日: 2014-05-28
公开(公告)号: CN104014505A 公开(公告)日: 2014-09-03
发明(设计)人: 王彤彤;高劲松;王笑夷;刘震;刘海;李玉东 申请(专利权)人: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
主分类号: B08B3/08 分类号: B08B3/08;B08B3/02
代理公司: 长春菁华专利商标代理事务所 22210 代理人: 陶尊新
地址: 130033 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 一种去除烧结碳化硅反射镜的铝掺杂硅改性膜的方法,属于薄膜沉积技术领域中的方法。解决了传统物理抛光方法周期长、耗时多,且存在镜胚的面形改变的技术问题。该方法是使用化学试剂的方法,先用稀释的酸溶剂将表面的有机污染物去除,然后使用氢氟酸溶液将铝掺杂硅改性膜腐蚀、去除,最后将烧结碳化硅镜胚表面清洗干净。该方法可以在不损伤烧结碳化硅镜胚和表面面形的前提下快速去除硅铝掺杂硅改性膜,克服了物理抛光法带来的周期长、耗时多和容易导致烧结碳化硅镜胚面形改变的技术风险问题,有效地提高了烧结碳化硅镜胚的加工效率,具有很高的实用价值。
搜索关键词: 一种 去除 烧结 碳化硅 反射 掺杂 改性 方法
【主权项】:
一种去除烧结碳化硅反射镜的铝掺杂硅改性膜的方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:步骤一:将质量百分比浓度为68%的硝酸与水按照体积比1:5配置硝酸溶液,并用配好的硝酸溶液清洁镀有铝掺杂硅改性膜的烧结碳化硅镜胚10~30分钟;步骤二:用清水清洗镀有铝掺杂硅改性膜的烧结碳化硅镜胚5~20分钟;步骤三:将质量百分比浓度为40%的氢氟酸和水按照体积比10:1配制成溶液,并用配好的氢氟酸溶液清洁镀有铝掺杂硅改性膜的烧结碳化硅镜胚10~30分钟;步骤四:用清水清洗镀有铝掺杂硅改性膜的烧结碳化硅镜胚5~20分钟;步骤五:将质量百分比浓度为40%的氢氟酸和水按照体积比2:1配制成溶液;步骤六:使用脱脂棉蘸取步骤五中配制好的氢氟酸溶液均匀涂于烧结碳化硅镜胚表面,对铝掺杂硅改性膜进行腐蚀溶解;步骤七:待铝掺杂硅改性膜完全溶解后,使用脱脂棉蘸取碳酸钙粉末擦拭烧结碳化硅镜胚表面以去除残余液体,然后用清水冲洗烧结碳化硅镜胚表面直至清洁;步骤八:若烧结碳化硅镜胚上的铝掺杂硅改性膜仍有残余,则重复第五步至第七步的过程,若碳化硅基底上的硅厚膜已彻底清除,则继续进行步骤九;步骤九:用脱脂棉蘸取氧化铈粉末擦拭烧结碳化硅镜胚表面5~10分钟,然后用清水冲洗烧结碳化硅镜胚表面直至清洁;步骤十:使用质量百分比浓度为99.7%的酒精超声清洗烧结碳化硅镜胚10~20分钟,并自然风干,即可完全去除烧结碳化硅镜胚上的铝掺杂硅改性膜。
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