[发明专利]FinFET制程中形成垂直双极型晶体管的方法

摘要

本发明公开了一种FinFET制程中形成垂直双极型构的方法，通过有选择的在不同区域掺杂的方法，利用已有的FinFET结构，形成垂直PNP双极型晶体管，从而增加了集成电路的功能。

主权项

一种FinFET制程中形成垂直双极型晶体管的方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一具有第一导电类型的衬底，所述衬底表面形成有若干相互平行的长条状鳍结构，且相邻的所述鳍结构之间具有隔离沟道，将所述若干相互平行的长条状鳍结构划分为第一套鳍结构和第二套鳍结构；制备若干相互平行的横向凹槽，以将所述第一套鳍结构沿垂直于所述长条状鳍结构长度的方向截断形成第一区域以及沿所述隔离沟道长度方向位于所述第一区域两侧的第二区域；于所述隔离沟道和所述横向凹槽中制备绝缘层后，在位于所述第一区域下方的衬底中形成具有第二导电类型的阱区；对所述第二套鳍结构、位于所述第一区域中部分的鳍结构进行第一导电类型的离子掺杂后，继续对位于所述第一区域中剩余的鳍结构进行第二导电类型的离子掺杂；继续后续制备工艺，形成所述双极型晶体管；其中，所述双极型晶体管的发射极结构包括位于所述第一区域中掺杂有第一导电类型的离子的鳍结构，所述双极型晶体管的基极结构包括掺杂有第二导电类型的离子的鳍结构，所述双极型晶体管的集电极结构包括剩余的掺杂有第一导电类型的离子的鳍结构。