[发明专利]FinFET制程中形成垂直双极型晶体管的方法

权利要求书

1.一种FinFET制程中形成垂直双极型晶体管的方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一具有第一导电类型的衬底，所述衬底表面形成有若干相互平行的长条状鳍结构，且相邻的所述鳍结构之间具有隔离沟道，将所述若干相互平行的长条状鳍结构划分为第一套鳍结构和第二套鳍结构；

制备若干相互平行的横向凹槽，以将所述第一套鳍结构沿垂直于所述长条状鳍结构长度的方向截断形成第一区域以及沿所述隔离沟道长度方向位于所述第一区域两侧的第二区域；

于所述隔离沟道和所述横向凹槽中制备绝缘层后，在位于所述第一区域下方的衬底中形成具有第二导电类型的阱区；

对所述第二套鳍结构、位于所述第一区域中部分的鳍结构进行第一导电类型的离子掺杂后，继续对位于所述第一区域中剩余的鳍结构进行第二导电类型的离子掺杂；

继续后续制备工艺，形成所述双极型晶体管；

其中，所述双极型晶体管的发射极结构包括位于所述第一区域中掺杂有第一导电类型的离子的鳍结构，所述双极型晶体管的基极结构包括掺杂有第二导电类型的离子的鳍结构，所述双极型晶体管的集电极结构包括剩余的掺杂有第一导电类型的离子的鳍结构。

2.如权利要求1所述的FinFET制程中形成垂直双极型晶体管的方法，其特征在于，所述衬底的材质均为P型硅。

3.如权利要求1所述的FinFET制程中形成垂直双极型晶体管的方法，其特征在于，所述具有第一导电类型的离子为P型离子，所述具有第二导电类型的离子为N型离子。

4.如权利要求1所述的FinFET制程中形成垂直双极型晶体管的方法，其特征在于，所述双极型晶体管基极结构中的鳍结构环绕所述双极型晶体管发射极结构中的鳍结构。

5.如权利要求1所述的FinFET制程中形成垂直双极型晶体管的方法，其特征在于，所述方法还包括，对所述第二套鳍结构、位于所述第一区域中部分的鳍结构进行第一导电类型的离子掺杂的同时，对所述第二区域中的鳍结构也进行第一导电类型的离子掺杂。

6.如权利要求1所述的FinFET制程中形成垂直双极型晶体管的方法，其特征在于，旋涂光刻胶并进行光刻工艺以暴露所述第二套鳍结构、位于所述第一区域中部分的鳍结构的上表面后，采用倾斜离子注入技术对该暴露的区域进行第一导电类型的离子掺杂。

7.如权利要求1所述的FinFET制程中形成垂直双极型晶体管的方法，其特征在于，旋涂光刻胶并进行光刻工艺以暴露位于所述第一区域中剩余的鳍结构的上表面后，采用倾斜离子注入技术对该暴露的区域进行第二导电类型的离子掺杂。

8.如权利要求1所述的FinFET制程中形成垂直双极型晶体管的方法，其特征在于，制备所述绝缘层的方法包括：

于所述隔离沟道以及所述横向凹槽中填充绝缘材料；

采用干法刻蚀工艺回刻该绝缘材料以将所述横向沟道和所述横向凹槽的部分侧壁予以暴露，剩余的所述绝缘材料形成所述绝缘层。

9.如权利要求1所述的FinFET制程中形成垂直双极型晶体管的方法，其特征在于，所述双极型晶体管的发射极结构还包括所述衬底中未形成所述具有第二导电类型的阱区的区域。

10.如权利要求1所述的FinFET制程中形成垂直双极型晶体管的方法，其特征在于，所述衬底与所述鳍结构为一体式结构。