[发明专利]半导体结构及显示面板有效
申请号: | 201410211616.3 | 申请日: | 2014-05-19 |
公开(公告)号: | CN105097805B | 公开(公告)日: | 2018-04-27 |
发明(设计)人: | 蔡嘉豪 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088;H01L29/78;G11C19/28 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 史新宏 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种半导体结构及显示面板。该半导体结构具有一基底层。第一导电层形成在基底层之上。第一绝缘层形成在第一导电层之上。半导体层形成在第一绝缘层之上。第二导电层形成在半导体层之上,并具有一第一部分以及一第二部分。第一部分及第二部分彼此独立。第二绝缘层形成在第二导电层之上。第三导电层形成在第二绝缘层之上。第一导电层、半导体层、第一部分及第二部分构成一第一晶体管。第三导电层、半导体层、第一部分及第二部分构成一第二晶体管。在一第一期间,第一导电层具有一第一电压电平,第三导电层具有一第二电压电平。在一第二期间,第一导电层具有一第三电压电平,第三导电层具有一第四电压电平。 | ||
搜索关键词: | 半导体 结构 显示 面板 及其 控制 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体结构,包括:基底层;第一导电层,形成在该基底层之上;第一绝缘层,形成在该第一导电层之上;半导体层,形成在该第一绝缘层之上;第二导电层,形成在该半导体层之上,并具有第一部分以及第二部分,该第一部分及第二部分彼此独立;第二绝缘层,形成在该第二导电层之上;以及第三导电层,形成在该第二绝缘层之上,其中,该第一导电层、该半导体层、该第一部分及该第二部分构成第一晶体管,该第三导电层、该半导体层、该第一部分及该第二部分构成第二晶体管;其中,在第一期间,该第一导电层具有第一电压电平,该第三导电层具有第二电压电平,在第二期间,该第一导电层具有第三电压电平,该第三导电层具有第四电压电平。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于群创光电股份有限公司,未经群创光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410211616.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种半导体器件及其制备方法、电子装置
- 下一篇:晶片封装体及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的