[发明专利]一种IGBT芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201410210503.1 | 申请日： | 2014-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN103956380A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 吕新立;薛涛 | 申请（专利权）人： | 淄博美林电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所 37223 | 代理人： | 孙爱华 |
| 地址： | 255000 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种IGBT芯片及其制造方法，属于半导体器件制造领域。包括P型基片（2）、P型基片（2）上方的N型外延层（1）、N型漂移层（4）、金属层（3），其特征在于：在IGBT芯片外侧纵向设置有填充了绝缘层的绝缘沟槽。包括以下步骤：制造IGBT芯片；在IGBT芯片的一侧刻蚀出绝缘沟槽；在绝缘沟槽内填充第一绝缘层（5）；在第一绝缘层外侧填充与P型基片（2）接触的导电层（6）；在IGBT底部填充第二绝缘层（7）；自IGBT顶部将门极、集电极、发射极引出。本发明的IGBT芯片的发射极、集电极、门极从同一平面引出，提高了产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种IGBT芯片，包括P型基片（2）、P型基片（2）上方的N型外延层（1）、N型漂移层（4）以及顶层的金属层（3），其特征在于：在IGBT芯片外侧纵向设置有向下延伸至P型基片（2）的绝缘沟槽，绝缘沟槽内填充有绝缘层。
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