[发明专利]一种IGBT芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201410210503.1 | 申请日： | 2014-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN103956380A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 吕新立;薛涛 | 申请（专利权）人： | 淄博美林电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所 37223 | 代理人： | 孙爱华 |
| 地址： | 255000 *** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 芯片 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种IGBT芯片，包括P型基片（2）、P型基片（2）上方的N型外延层（1）、N型漂移层（4）以及顶层的金属层（3），其特征在于：在IGBT芯片外侧纵向设置有向下延伸至P型基片（2）的绝缘沟槽，绝缘沟槽内填充有绝缘层。
2.根据权利要求1所述的IGBT芯片，其特征在于：在所述的绝缘层的外侧设置有一个或多个导电沟槽，导电沟槽内填充有与所述P型基片（2）接触的导电层（6）。
3. 根据权利要求1或2所述的IGBT芯片，其特征在于：在所述的P型基片（2）下方设置有第二绝缘层（7）。
4. 根据权利要求1或2所述的IGBT芯片，其特征在于：所述的绝缘层为第一绝缘层（5）。
5.实现权利要求1~4任一项所述的IGBT芯片的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1：制造IGBT芯片；
步骤2：在IGBT芯片的一侧刻蚀出绝缘沟槽；
步骤3：在绝缘沟槽内填充第一绝缘层（5）；
步骤4：在第一绝缘层外侧填充与P型基片（2）接触的导电层（6）；
步骤5：在IGBT底部填充第二绝缘层（7）；
步骤6：自IGBT顶层将门极、集电极、发射极引出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于淄博美林电子有限公司，未经淄博美林电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410210503.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多功能防水LED灯
- 下一篇：全功能水平连接式桌面站
- 同类专利
- 专利分类
