[发明专利]电容式压力传感器和其制作方法在审
| 申请号： | 201410196810.9 | 申请日： | 2014-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN105092111A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 苏佳乐 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/14 | 分类号： | G01L1/14;G01L9/12 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 汪洋;刘明霞 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电容式压力传感器和其制作方法，该电容式压力传感器包括：绝缘衬底；下电极，其形成在所述绝缘衬底上；半导体衬底，在其第一表面上形成有凹槽，所述半导体衬底的所述第一表面与所述下电极相对且键合至所述绝缘衬底，且所述下电极容纳在所述凹槽内并与所述半导体衬底之间存在间隙；上电极，其为形成在所述凹槽对应的半导体衬底中的掺杂区；以及上电极引线和下电极引线，其分别连接至所述上电极和所述下电极。该电容式压力传感器通过将上电极和下电极分别形成在半导体衬底和绝缘衬底上，可以避免使用成本昂贵的TSV技术来隔离。并且采用本发明的技术可以避免工艺较为复杂的深坑刻蚀，进而可以避免因刻蚀而影响电容的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 压力传感器 制作方法 | ||
【主权项】：
一种电容式压力传感器，包括：绝缘衬底；下电极，其形成在所述绝缘衬底上；半导体衬底，在所述半导体衬底的第一表面上形成有凹槽，所述半导体衬底的所述第一表面与所述下电极相对且键合至所述绝缘衬底，且所述下电极容纳在所述凹槽内并与所述半导体衬底之间存在间隙；上电极，其为形成在所述凹槽对应的半导体衬底中的掺杂区；以及上电极引线和下电极引线，其分别连接至所述上电极和所述下电极。
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