[发明专利]电容式压力传感器和其制作方法

权利要求书

1.一种电容式压力传感器，包括：

绝缘衬底；

下电极，其形成在所述绝缘衬底上；

半导体衬底，在所述半导体衬底的第一表面上形成有凹槽，所述半导体衬底的所述第一表面与所述下电极相对且键合至所述绝缘衬底，且所述下电极容纳在所述凹槽内并与所述半导体衬底之间存在间隙；

上电极，其为形成在所述凹槽对应的半导体衬底中的掺杂区；以及

上电极引线和下电极引线，其分别连接至所述上电极和所述下电极。

2.如权利要求1所述的电容式压力传感器，其特征在于，所述掺杂区内掺杂有硼和/或磷。

3.如权利要求1所述的电容式压力传感器，其特征在于，所述绝缘衬底为玻璃衬底，和/或所述下电极为金属电极，和/或所述半导体衬底为硅衬底。

4.如权利要求1所述的电容式压力传感器，其特征在于，所述凹槽的底面到所述半导体衬底的与所述第一表面相对的第二表面的厚度为10-100微米。

5.如权利要求1所述的电容式压力传感器，其特征在于，所述下电极覆盖在所述绝缘衬底的表面上或嵌入在所述绝缘衬底内。

6.一种制作如权利要求1所述的电容式压力传感器的方法，所述方法包括：

提供绝缘衬底；

在所述绝缘衬底上形成下电极和下电极引线；

提供半导体基底；

在所述半导体基底的第一基底表面上形成凹槽；

执行掺杂工艺以在所述凹槽下方的所述半导体基底中形成掺杂区，所述掺杂区未到达所述半导体基底的与所述第一基底表面相对的第二基底表面；

将所述半导体基底与所述绝缘衬底键合，其中所述下电极容纳在所述凹槽内并与所述半导体基底之间存在间隙；

从所述第二基底表面对所述半导体基底进行减薄，至所述掺杂区；以及

形成连接至所述上电极的上电极引线。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，形成所述下电极和所述下电极引线的方法包括：

在所述绝缘衬底上形成电极材料层；

对所述电极材料层进行图案化，以形成所述下电极和所述下电极引线。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，形成所述下电极和所述下电极引线的方法包括：

对所述绝缘衬底的表面进行图案化，以形成对应于所述下电极和所述下电极引线的凹槽图案；

在所述凹槽图案和所述绝缘衬底的表面上形成电极材料层；

去除所述凹槽图案以外的电极材料层，以形成所述下电极和所述下电极引线。

9.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述绝缘衬底为玻璃衬底，和/或所述下电极为金属电极，和/或所述半导体衬底为硅衬底。

10.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述掺杂区内掺杂有硼和/或磷。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述减薄使用的刻蚀剂为氢氧化钾溶液。