[发明专利]加热体内置的坩埚下降法制备氟化钙晶体的方法及装置有效
| 申请号： | 201410196674.3 | 申请日： | 2014-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN103952759A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 毕少东;沈琨;崔承甲;施燕群 | 申请（专利权）人： | 淮安红相光电科技有限公司;江苏启明星光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B11/00 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 刘洪勋 |
| 地址： | 223200 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于晶体生长技术领域，涉及一种在真空条件下内部加热坩埚下降法制备晶体的方法和装置，特别适用于批量制备各种形状的氟化钙人工晶体。所述制备方法，包括如下步骤：(1)确定温场；(2)确定坩埚初始位置；(3)晶体生长；(4)随炉退火。本发明的有益效果为：通过计算机模拟建立最佳的温场模型，合理控制温场，减少晶体生长缺陷；晶体生长结束后，采用随炉退火工艺，通过晶体的塑性流动使热应力得以释放，最终获得光学质量高、冷加工性能好的氟化钙晶体；同时采用了将加热体内置提高了加热效率，缩短了制备周期，简化了制备工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 加热 体内 坩埚 下降 法制 氟化钙 晶体 方法 装置 | ||
【主权项】：
加热体内置的坩埚下降法制备氟化钙晶体的方法，其特征在于：包括如下步骤： (1)确定温场，通过计算机模拟系统确定晶体生长温场和退火温场； (2)确定坩埚初始位置，通过调节保温层的距离和厚度，对比径向以及轴向的温度梯度，最终确定坩埚的初始位置； (3)晶体生长，将氟化钙原料装入坩埚中，根据步骤(1)中的晶体生长温场用加热体对氟化钙原料进行加热，同时坩埚从初始位置下移40mm； (4)随炉退火，根据步骤(1)中的退火温场将生长完毕的晶体进行随炉退火，同时将步骤(3)中的坩埚上移到初始位置，直至炉内温度降至室温时，降温结束，取出晶体，得到所需氟化钙晶体。
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