[发明专利]半导体装置、其制造方法以及电子设备有效

专利信息
申请号: 201410190371.0 申请日: 2010-10-22
公开(公告)号: CN104009054A 公开(公告)日: 2014-08-27
发明(设计)人: 高桥洋;梅林拓 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 李晗;陈桂香
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了一种半导体装置、其制造方法以及一种电子设备,该半导体装置包括:在其一侧包括第一布线层的第一半导体部;在其一侧包括第二布线层并包括电极焊盘部的第二半导体部,所述第一和第二半导体部被固定到一起,使得第一半导体部的第一布线层侧与第二半导体部的第二布线层侧彼此面对;第一导电材料,其设置在穿过第一半导体部的装置层而延伸到第一半导体部的第一布线层中的连接点的第一凹槽部中;第二导电材料,其设置在穿过第一半导体部而延伸到第二半导体部的第二布线层中的连接点的第二凹槽部中,从而第一和第二布线层电连通;绝缘膜,其各自布置在第一和第二凹槽部的侧壁上;以及延伸穿过第一半导体部以使电极焊盘部暴露的开口。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法 以及 电子设备
【主权项】:
一种半导体装置,其包括:第一半导体部,该第一半导体部在其一侧包括第一布线层;第二半导体部,该第二半导体部在其一侧包括第二布线层,该第二布线层包括电极焊盘部,所述第一半导体部和所述第二半导体部被固定到一起,使得所述第一半导体部的所述第一布线层侧与所述第二半导体部的所述第二布线层侧彼此面对;第一导电材料,其设置在穿过所述第一半导体部的装置层而延伸到所述第一半导体部的所述第一布线层中的连接点的第一凹槽部中;第二导电材料,其设置在穿过所述第一半导体部而延伸到所述第二半导体部的所述第二布线层中的连接点的第二凹槽部中,从而所述第一布线层和所述第二布线层电连通;绝缘膜,其各自布置在所述第一凹槽部和所述第二凹槽部的侧壁上;以及延伸穿过所述第一半导体部以使所述电极焊盘部暴露的开口。
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