[发明专利]半导体装置、其制造方法以及电子设备有效
申请号: | 201410190371.0 | 申请日: | 2010-10-22 |
公开(公告)号: | CN104009054A | 公开(公告)日: | 2014-08-27 |
发明(设计)人: | 高桥洋;梅林拓 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 李晗;陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了一种半导体装置、其制造方法以及一种电子设备,该半导体装置包括:在其一侧包括第一布线层的第一半导体部;在其一侧包括第二布线层并包括电极焊盘部的第二半导体部,所述第一和第二半导体部被固定到一起,使得第一半导体部的第一布线层侧与第二半导体部的第二布线层侧彼此面对;第一导电材料,其设置在穿过第一半导体部的装置层而延伸到第一半导体部的第一布线层中的连接点的第一凹槽部中;第二导电材料,其设置在穿过第一半导体部而延伸到第二半导体部的第二布线层中的连接点的第二凹槽部中,从而第一和第二布线层电连通;绝缘膜,其各自布置在第一和第二凹槽部的侧壁上;以及延伸穿过第一半导体部以使电极焊盘部暴露的开口。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 以及 电子设备 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,其包括:第一半导体部,该第一半导体部在其一侧包括第一布线层;第二半导体部,该第二半导体部在其一侧包括第二布线层,该第二布线层包括电极焊盘部,所述第一半导体部和所述第二半导体部被固定到一起,使得所述第一半导体部的所述第一布线层侧与所述第二半导体部的所述第二布线层侧彼此面对;第一导电材料,其设置在穿过所述第一半导体部的装置层而延伸到所述第一半导体部的所述第一布线层中的连接点的第一凹槽部中;第二导电材料,其设置在穿过所述第一半导体部而延伸到所述第二半导体部的所述第二布线层中的连接点的第二凹槽部中,从而所述第一布线层和所述第二布线层电连通;绝缘膜,其各自布置在所述第一凹槽部和所述第二凹槽部的侧壁上;以及延伸穿过所述第一半导体部以使所述电极焊盘部暴露的开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的