[发明专利]包含SRAM的集成电路及其形成方法

摘要

本发明涉及一种在位单元阵列中具有不间断的栅控第一多晶硅和第一触点图案的SRAM联阱。一种包括SRAM(302)的集成电路(300)，其可使用一个或更多个用于集成电路的元件例如栅极(346)和触点(364)的周期性光刻图案形成，周期性光刻图案在SRAM单元中具有交替的线和间隔的配置。在两个相对侧上具有SRAM单元的包括联阱(306)和/或衬底抽头(308)的条行SRAM(304)被配置，使得交替的线和间隔的配置贯穿包括联阱和衬底抽头的区是连续的。

主权项

1.一种集成电路，其包括：静态随机存取存储器即SRAM，其包括：包括联阱和衬底抽头中至少一个的条行；邻近所述条行的第一SRAM单元区；第二SRAM单元区，其邻近所述条行，与所述第一SRAM单元区相对；多个电路元件，其设置在所述条行、所述第一SRAM单元区以及所述第二SRAM单元区中，所述电路元件以交替的线和间隔的周期性图案配置，使得在所述条行中所述电路元件的节距长度是在所述第一SRAM单元区和所述第二SRAM单元区中的所述电路元件的节距长度的10％以内；位于所述条行和所述第一SRAM单元区之间的第一半单元行；以及位于所述条行和所述第二SRAM单元区之间的第二半单元行。