[发明专利]包含SRAM的集成电路及其形成方法

说明书

本发明涉及一种在位单元阵列中具有不间断的栅控第一多晶硅和第一触点图案的SRAM联阱。一种包括SRAM(302)的集成电路(300)，其可使用一个或更多个用于集成电路的元件例如栅极(346)和触点(364)的周期性光刻图案形成，周期性光刻图案在SRAM单元中具有交替的线和间隔的配置。在两个相对侧上具有SRAM单元的包括联阱(306)和/或衬底抽头(308)的条行SRAM(304)被配置，使得交替的线和间隔的配置贯穿包括联阱和衬底抽头的区是连续的。

技术领域

本发明涉及集成电路领域。更具体地，本本发明涉及集成电路中的静态随机存取存储器(SRAM)。

背景技术

SRAM包括提供局部偏置到阱或用于围绕SRAM单元的衬底区的联阱以及衬底抽头(substrate tap)。包括联阱和衬底抽头的SRAM区域可以破坏用于在相邻SRAM单元中具有交替的线和间隔的配置的栅极和触点的周期性光刻图案。

发明内容

为了对本发明的一个或更多个方面提供基本的理解，下面呈现简要概述。此概述不是本发明的广泛综述，并且既不旨在识别本发明的关键或重要元素，也不旨在描绘其范围。相反，本概述的主要目的是以简化的形式呈现本发明的一些概念，作为稍后呈现的更详细的说明的前奏。

可使用一种或更多种用于集成电路的元件例如栅极和触点的周期性光刻图案形成包括SRAM的集成电路，其中光刻图案在SRAM单元中具有交替的线和间隔的配置。在两个相对侧具有SRAM单元的包括联阱和衬底抽头的SRAM的区域经配置使得交替的线和间隔的配置贯穿包括联阱和衬底抽头的区域是连续的。

附图说明

图1示出具有用于可用于形成此处所述的集成电路的光刻工艺的显著离轴组件的示例性照明源。

图2示出由具有显著离轴组件的照明源(如在图1中所示的照明源)形成的示例性图案。

图3A至图3I是在制造的连续阶段中示出的包括SRAM的示例性集成电路的俯视图。

图4A和图4B是根据替换示例形成的类似于图3C所示集成电路的集成电路的俯视图。

图5是具有替换布局、根据参考图3A至图3I所述的工艺形成的集成电路的俯视图。

图6是包括SRAM的另一个示例性集成电路的俯视图。

具体实施方式

本发明将参考附图进行描述。这些图不是按比例绘制的并且提供其仅用于说明本发明。本发明的几个方面参考用于说明的示例应用在以下进行描述。应当理解，许多具体的细节、关系和方法被阐述以提供对本发明的理解。然而，在相关领域的技术人员将容易地认识到，本发明可以在没有一个或更多个具体细节或使用其他方法的情况下实践。在其他实例中，众所周知的结构或操作没有详细示出，以避免模糊本发明。本发明不受动作或事件的示出顺序限制，因为一些动作可以按不同顺序发生和/或与其他动作或事件同时发生。此外，并非要求所有示出的动作或事件来实施根据本发明的方法。

可使用用于集成电路的元件例如栅极和触点的周期性光刻图案形成包括SRAM的集成电路，周期性光刻图案在SRAM单元中具有交替的线和间隔的配置。在两个相对侧具有SRAM单元的包括联阱和衬底抽头的SRAM的区域经配置，使得交替的线和间隔的配置贯穿包括联阱和衬底抽头的区域是连续的。周期性光刻图案可以使用离轴照明源进行打印，以便连续的交替的线和间隔的配置有利地降低制造复杂性并提高集成电路的制程宽容度。