[发明专利]包含SRAM的集成电路及其形成方法

权利要求书

1.一种集成电路，其包括：

静态随机存取存储器即SRAM，其包括：

包括联阱和衬底抽头中至少一个的条行；

邻近所述条行的第一SRAM单元区；

第二SRAM单元区，其邻近所述条行，与所述第一SRAM单元区相对；

多个电路元件，其设置在所述条行、所述第一SRAM单元区以及所述第二SRAM单元区中，所述电路元件以交替的线和间隔的周期性图案配置，使得在所述条行中所述电路元件的节距长度是在所述第一SRAM单元区和所述第二SRAM单元区中的所述电路元件的节距长度的10％以内；

位于所述条行和所述第一SRAM单元区之间的第一半单元行；以及

位于所述条行和所述第二SRAM单元区之间的第二半单元行。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中通过使用蚀刻掩模来蚀刻包括导电材料的层形成所述电路元件，所述蚀刻掩模具有所述交替的线和间隔的周期性图案。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中通过使用蚀刻掩模来蚀刻介电材料的层并且填充区域而形成所述电路元件，所述蚀刻掩模具有所述交替的线和间隔的周期性图案。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中在所述条行中的所述电路元件的所述节距长度基本上等于在所述第一SRAM单元区和所述第二SRAM单元区中的所述电路元件的所述节距长度。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述电路元件是栅极结构。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述条行包括至少一个联阱和至少一个衬底抽头。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述多个电路元件的实例重叠所述条行中的有源区域。

8.根据权利要求7所述的集成电路，其中在所述条行中的所述有源区域的相邻实例不由所述多个电路元件的共同实例重叠。

9.根据权利要求1所述的集成电路，其中在所述条行中的有源区域不由所述多个电路元件的实例重叠。

10.一种形成集成电路的方法，其包括以下步骤：

在所述集成电路的SRAM中形成多个阱区，所述阱区与所述SRAM的SRAM单元区中的衬底区交替；

在所述SRAM中形成有源区域，其包括所述SRAM的条行中的至少一个有源区域，和邻近所述条行的在第一SRAM单元区中的有源区域和邻近所述条行并且与所述第一SRAM单元区相对的在第二SRAM单元区中的有源区域，其中在所述条行中的所述至少一个有源区域是至所述阱区的实例的联阱或至所述衬底区的实例的衬底抽头之一；

在所述集成电路上形成光刻图案，所述光刻图案包括在所述第一SRAM单元区、所述第二SRAM单元区和所述条行中的交替的线和间隔的周期性图案，使得交替的线和间隔的所述周期性图案贯穿所述条行是连续的，并且在所述条行中的所述周期性图案的节距长度是在所述第一SRAM单元区和所述第二SRAM单元区中的所述周期性图案的节距长度的10％以内。

11.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括以下步骤：

在形成所述光刻图案之前在所述有源区域上方形成导电层；以及

从由所述光刻图案曝光的区域中去除所述导电层以形成电路元件。

12.根据权利要求11的所述的方法，其中所述电路元件是栅极结构。