[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201410184366.9 | 申请日： | 2014-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN105097520B | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 蔡国辉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构的两侧侧壁上具有侧墙；进行外延步骤，形成覆盖所述栅极结构、侧墙和半导体衬底表面的半导体外延材料层；进行刻蚀步骤，去除侧壁和栅极结构表面上的半导体外延材料层，在栅极结构两侧的半导体衬底上形成第一半导体外延层；进行选择外延步骤，通入沉积气体和刻蚀气体，在栅极结构两侧的半导体衬底上形成第二半导体外延层，所述第二半导体外延层沿水平方向修复或补偿所述第一半导体外延层；重复依次进行外延步骤、刻蚀步骤和选择外延步骤，直至在栅极结构两侧的半导体衬底上形成抬高源/漏区。防止形成的抬高源/漏区形成尖角。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构的两侧侧壁上具有侧墙；进行外延步骤，通入沉积气体，形成覆盖所述栅极结构、侧墙和半导体衬底表面的半导体外延材料层；进行刻蚀步骤，通入刻蚀气体，去除侧墙和栅极结构表面上的半导体外延材料层，在栅极结构两侧的半导体衬底表面上形成第一半导体外延层，第一半导体外延层侧壁为倾斜侧壁，并且第一半导体外延层与相邻的侧墙不接触；进行选择外延步骤，通入沉积气体和刻蚀气体，在所述栅极结构两侧的半导体衬底上形成第二半导体外延层，所述第二半导体外延层沿水平方向修复或补偿所述第一半导体外延层，使得形成的第二半导体外延层覆盖第一半导体外延层的倾斜侧壁，并与侧墙的表面相接触；重复依次进行外延步骤、刻蚀步骤和选择外延步骤，直至在栅极结构两侧的半导体衬底上形成抬高源/漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
