[发明专利]一种压电水晶的生长方法

摘要

本发明公开了一种压电水晶的生长方法，其步骤如下：原料的清洗准备、高压釜及釜内辅件的清洗准备、按以下温度时间关系升温29小时：(1)釜装好后到开始升温的间隔时间小于4h；(2)釜上部温度控制为100℃，同时釜下部温度控制为115℃，本时间段时长设置为6h；(3)釜上部温度控制为250℃，釜下部温度控制为275℃，本时间段时长设置为14h；(4)釜上部温度控制为345-348℃，釜下部温度控制为375-376℃，本时间段时长设置为9h；升温29小时后按设定温度时间关系曲线保温65天后再自然降温到100℃以下后开启高压釜。由于优化了时间-升温曲线等细节，工艺相对更完善，使用效果更理想。

主权项

一种压电水晶的生长方法，其特征在于：其步骤如下：A、选取颗粒状天然石英石作培养体，将石英石置于洗衣粉中完全浸泡20‑24h，取出后用水冲洗，同时将含有伴生杂质的石英石及表皮矿石去除，再用去离子水冲洗一遍，将清洗好的石英石投入至高压釜下部；石英石在高压釜内的装填高度低于下组加热件所处的位置高度；向高压釜中加入高纯水；B、将打好孔的籽晶片置于稀氢氟酸中浸泡4‑6h，把籽晶片在切割、打孔过程中产生的表面污染铁质清洗掉，然后置于超声波清洗机中将晶体表面的污垢清除干净，将籽晶悬挂在籽晶架上，同时在籽晶架上固定设有隔离板，隔离板上设有对流孔；装釜前对高压釜内壁、籽晶架、支撑架、隔离板用碱溶液进行清洗去除保护膜及油污，将釜口上的晶芽和密封面上的残留石墨纸清洗干净，将籽晶架装入高压釜内，密封高压釜；C、升温，保持高压釜内压力为115‑150MPa，采用温度程序控制装置自动控制高压釜升温，温度与时间之间的关系设置为：(1)、釜装好后到开始升温的间隔时间小于4h；(2)、釜上部温度控制为100℃，同时釜下部温度控制为115℃，本时间段时长设置为6h；(3)、釜上部温度控制为250℃，釜下部温度控制为275℃，本时间段时长设置为14h；(4)、釜上部温度控制为345‑348℃，釜下部温度控制为375‑376℃，本时间段时长设置为9h；D、保温，升温平衡后釜上部温度控制为345‑348℃，釜下部温度控制为375‑376℃，采用温度程序控制装置自动控制高压釜保温65天，在65天的时间内将上下部温差逐渐调整为42‑44℃；在调整上下部温差的过程中，参考压力的变化，如果压力在往上升，那么就调低釜上部温度，让结晶温度往下降；如果压力在往下降，那么就调高釜下部温度，让溶解温度往上升；后期可根据窜温和压力情况同时降低釜上下部温度；E、保温65天后停止保温，将釜内温度自然降至100℃以下后，将机油(加少许柴油)浇注入高压釜的螺纹处，开启高压釜。