[发明专利]一种高频小功率晶体管的封装方法及装置

摘要

本发明公开了一种高频小功率晶体管的封装方法及装置。该方法是通过改变上电极与晶体管管座的接触位置，使上电极与晶体管管座接触时能够有效避开极性标志；同时通过减小上电极与晶体管管座的接触面积，使焊接时可以减小焊接电流而确保焊接处的电流密度不变而不影响晶体管管座与管壳之间的焊接质量。本发明通过对上电极的改进，避免了晶体管管座上极性标志与下电极之间的放电，使得晶体管封装的合格率由现有的不足75%提高至95%以上，封装效果良好。

主权项

一种高频小功率晶体管的封装方法，其特征在于：该方法是通过改变封装装置的上电极与晶体管管座的接触位置，使封装装置的上电极与晶体管管座接触时能够有效避开极性标志；同时通过减小封装装置的上电极与晶体管管座的接触面积，使焊接时可以减小焊接电流而确保焊接处的电流密度不变而不影响晶体管管座与管壳之间的焊接质量；所述封装装置的上电极底部为圆管状，圆管底部与晶体管管座的接触面为环形，环形的内外径之差小于1mm。