[发明专利]LED外延层及其生长方法和LED芯片在审
| 申请号： | 201410163418.4 | 申请日： | 2014-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN103928578A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 林传强 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LED外延层及其生长方法和LED芯片，该LED外延层，包括依序生长的N型局限层、MQW层和P型局限层，MQW层包括多个结构单元，每个结构单元内包括InGaN层和GaN层，其特征在于，结构单元内还包括至少一层掺镁层。本发明提供的LED外延层通过在多量子阱层中增设掺杂镁层，使得GaN势垒表面粗糙，影响InGaN势阱的生长，抑制InGaN横向生长，促进InGaN三维生长，从而增加InGaN中的量子点数，从而将LED芯片的发光效率提高5～6％。 | ||
| 搜索关键词： | led 外延 及其 生长 方法 芯片 | ||
【主权项】：
一种LED外延层，包括依序生长的N型局限层、MQW层和P型局限层，所述MQW层包括多个结构单元，每个所述结构单元内包括InGaN层和GaN层，其特征在于，所述结构单元内还包括至少一层掺镁层。
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