[发明专利]LED外延层及其生长方法和LED芯片

权利要求书

1.一种LED外延层，包括依序生长的N型局限层、MQW层和P型局限层，所述MQW层包括多个结构单元，每个所述结构单元内包括InGaN层和GaN层，其特征在于，所述结构单元内还包括至少一层掺镁层。

2.根据权利要求1所述的LED外延层，其特征在于，所述掺镁层为MgN。

3.根据权利要求1所述的LED外延层，其特征在于，所述掺镁层厚度≤1.0nm。

4.根据权利要求1所述的LED外延层，所述掺镁层中镁的掺杂浓度5E+18～1E+19。

5.根据权利要求1所述的LED外延层，其特征在于，所述MQW层中所述结构单元数为10～15个。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的LED外延层，其特征在于，各所述结构单元中所述InGaN层为In_xGa_(1～x)N层，所述x＝0.15～0.25，优选所述InGaN层中In掺杂浓度1E+20～3E+20，优选所述InGaN层的厚度为2.8～3.5nm。

7.一种如权利要求1至6中任一项所述LED外延层的生长方法，包括依序生长的N型局限层、MQW层和P型局限层的步骤，其特征在于，生长所述MQW层的步骤包括：依序生长多个结构单元，生长每个所述结构单元的步骤包括依序生长的掺镁层、InGaN层和GaN层，所述掺镁层为MgN，生长所述掺镁层的步骤中，生长温度为700～850℃，在压力为300～400mbar下，同时通入镁源和NH₃30～50s生长所述掺镁层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述InGaN层为In_xGa_(1～x)N层，所述x＝0.15～0.25，所述InGaN层的生长方法包括以下步骤：在700～750℃下同时通入镓源和铟源以及NH₃以生长In的掺杂浓度1E+20～3E+20的所述In_xGa_(1～x)N层。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述GaN层的生长方法包括以下步骤：在800～850℃下同时通入镓源和NH₃以生长厚度为10～15nm的所述GaN层。

10.一种LED芯片，包括外延层，其特征在于，所述外延层为权利要求1至6中任一项所述的外延层。