[发明专利]电子元件及其制作方法

摘要

本发明公开一种电子元件及其制作方法，其包括：提供一基板；在基板上形成一源极与一漏极；在基板上形成一半导体层；在半导体层上形成一第一光敏材料层；利用一第一曝光显影制作工艺将第一光敏材料层的一第一部分移除，而留下第一光敏材料层的一第二部分以作为一第一栅绝缘层；将半导体层图案化，以形成一位于第一栅绝缘层下的通道层；在基板上形成一第二光敏材料层；利用一第二曝光显影制作工艺将第二光敏材料层的一第三部分移除，以暴露出至少部分第一栅绝缘层；以及在第一栅绝缘层上形成一第一栅极。一种电子元件也被提出。

主权项

1.一种电子元件的制作方法，包括：提供一基板；在该基板上形成一源极与一漏极；在该基板上形成一半导体层，并使该半导体层覆盖该源极与该漏极；在该半导体层上形成一第一光敏材料层；利用一第一曝光显影制作工艺将该第一光敏材料层的一第一部分移除，而留下该第一光敏材料层的一第二部分以作为一第一栅绝缘层；将该半导体层图案化，以形成一位于该第一栅绝缘层下的通道层；在该基板上形成一第二光敏材料层，并使该第二光敏材料层包覆该源极、该漏极、该通道层及该第一栅绝缘层；利用一第二曝光显影制作工艺将该第二光敏材料层的一第三部分移除，以暴露出至少部分该第一栅绝缘层，并留下一第四部分；在该第一栅绝缘层上形成一第一栅极；在该第二光敏材料层的该第四部分上形成一图案化膜层间中间层，其中该图案化膜层间中间层覆盖该第一栅极，并暴露出该漏极；以及在该基板上形成一像素电极，其中该像素电极配置于该图案化膜层间中间层上，且与该漏极相接。