[发明专利]用于从衬底去除静电的设备和方法有效
| 申请号： | 201410143029.5 | 申请日： | 2014-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN104576443B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 李东勳 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 11204 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余朦;王艳春<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了用于从衬底去除静电的设备和方法。该设备包括：真空室；安装在真空室之内的衬底台；以及安装在真空室之内并与衬底台物理分离的第一电极和第二电极，其中，通过施加至第一电极和第二电极不同的电压在第一电极和第二电极之间形成电场，衬底台的至少一部分放置在电场之内。 | ||
| 搜索关键词： | 第二电极 第一电极 衬底台 真空室 电场 衬底去除 物理分离 静电 施加 申请 | ||
【主权项】：
1.一种用于从衬底去除静电的设备，包括：/n真空室；/n衬底台，安装在所述真空室之内；以及/n第一电极和第二电极，安装在所述真空室之内并与所述衬底台物理地分离，/n其中，通过施加至所述第一电极和所述第二电极的不同电压，在所述衬底与所述衬底台刚要分离之前的时刻，在所述第一电极和所述第二电极之间形成电场，以及所述衬底台的至少一部分放置在所述电场之内以通过所述电场从所述衬底去除静电。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
