[发明专利]用于从衬底去除静电的设备和方法有效
申请号: | 201410143029.5 | 申请日: | 2014-04-10 |
公开(公告)号: | CN104576443B | 公开(公告)日: | 2019-12-06 |
发明(设计)人: | 李东勳 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 11204 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余朦;王艳春<国际申请>=<国际公布>= |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 第二电极 第一电极 衬底台 真空室 电场 衬底去除 物理分离 静电 施加 申请 | ||
1.一种用于从衬底去除静电的设备,包括:
真空室;
衬底台,安装在所述真空室之内;以及
第一电极和第二电极,安装在所述真空室之内并与所述衬底台物理地分离,
其中,通过施加至所述第一电极和所述第二电极的不同电压,在所述衬底与所述衬底台刚要分离之前的时刻,在所述第一电极和所述第二电极之间形成电场,以及所述衬底台的至少一部分放置在所述电场之内以通过所述电场从所述衬底去除静电。
2.如权利要求1所述的设备,其中,
多个所述第一电极和多个所述第二电极沿所述衬底台的第一方向交替布置,以形成包括两个或更多电极的一列,
所述衬底台配置为沿与所述第一方向垂直的第二方向移动。
3.如权利要求2所述的设备,其中,在所述第一方向上,最靠外的第一电极与最靠外的第二电极之间的距离小于或大于放置在所述衬底台上的衬底的宽度。
4.如权利要求2所述的设备,其中,在与所述第一方向垂直的所述第二方向上,所述第一电极和所述第二电极中每个的宽度小于放置在所述衬底台上的所述衬底的宽度的一半。
5.如权利要求2所述的设备,还包括:
杆形固定单元,安装在所述真空室之内,并且所述一列固定在其上;
多个联接器,安装在所述真空室之内,并分别联接至所述第一电极和所述第二电极,且通过螺栓联接至所述杆形固定单元,以使得其能够沿所述杆形固定单元移动;
供能单元,安装在所述真空室之外,并电连接至所述第一电极和所述第二电极中的每个,以将不同的电压施加至所述第一电极和所述第二电极;以及
控制单元,控制所述供能单元的电压施加。
6.如权利要求2所述的设备,其中,
在与所述第一方向垂直的所述第二方向上设置有多个所述一列,
其中在所述第二方向上,最靠外的第一电极与最靠外的第二电极之间的距离等于或大于放置在所述衬底台上的所述衬底的宽度。
7.如权利要求1所述的设备,其中,
正电压施加至所述第一电极,负电压施加至所述第二电极,其中,所述正电压的绝对值等于所述负电压的绝对值,
多个所述第一电极和多个所述第二电极沿所述衬底台的第一方向交替布置,以形成包括两个或更多电极的一列,并沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸,
在所述第二方向上,所述第一电极和所述第二电极中每个的长度等于或大于放置在所述衬底台上的所述衬底的宽度。
8.如权利要求7所述的设备,还包括:
板形固定单元,安装在所述真空室之内,并且所述第一电极和所述第二电极固定在其上;
供能单元,安装在所述真空室之外,并电连接至所述第一电极和所述第二电极中的每个,以将不同的电压施加至所述第一电极和所述第二电极;以及
控制单元,控制所述供能单元的电压施加。
9.一种用于从衬底去除静电的方法,包括:
在第一电极和第二电极下放置安装在衬底台上的衬底的至少一部分,所述衬底台安装在真空室之内,所述第一电极和所述第二电极安装在所述真空室之内并与所述衬底台物理地分离;以及
通过将不同的电压施加至所述第一电极和所述第二电极,在所述衬底与所述衬底台刚要分离之前的时刻,在所述第一电极与所述第二电极之间形成电场以通过所述电场从所述衬底去除静电。
10.如权利要求9所述的方法,其中,
形成电场的步骤包括通过沿第二方向水平移动所述衬底台来水平移动所述衬底,其中所述第二方向与第一方向垂直,所述第一电极和所述第二电极布置在所述第一方向上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造