[发明专利]用于从衬底去除静电的设备和方法有效
申请号: | 201410143029.5 | 申请日: | 2014-04-10 |
公开(公告)号: | CN104576443B | 公开(公告)日: | 2019-12-06 |
发明(设计)人: | 李东勳 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 11204 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余朦;王艳春<国际申请>=<国际公布>= |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 第二电极 第一电极 衬底台 真空室 电场 衬底去除 物理分离 静电 施加 申请 | ||
本申请提供了用于从衬底去除静电的设备和方法。该设备包括:真空室;安装在真空室之内的衬底台;以及安装在真空室之内并与衬底台物理分离的第一电极和第二电极,其中,通过施加至第一电极和第二电极不同的电压在第一电极和第二电极之间形成电场,衬底台的至少一部分放置在电场之内。
本申请要求于2013年10月10日向韩国知识产权局提交的第10-2013-0120653号韩国专利申请的优先权,其全部公开通过引用并入本文。
技术领域
本发明涉及用于从衬底去除静电的设备和方法。
背景技术
用于显示器(例如有机发光显示器、液晶显示器和等离子体显示器)的衬底在成为成品之前需要经过多个制造处理。例如,用于显示器的衬底经过处于大气状态的处理室、处于真空状态的处理室和处于真空状态的负载锁止室。在处于大气状态的处理室中存在许多气体分子,这些气体分子受外力作用而流动。另一方面,在处于真空状态的处理室和处于真空状态的负载锁止室中存在很少量的气体分子。由于这些室中的极小量的气体分子(如果存在的话),所以实际上没有气体分子流动。
当经过处于大气状态的处理室、处于真空状态的处理室和处于真空状态的负载锁止室时,用于显示器的衬底会受到由周围使用在处理中的元件产生的静电的影响。
因为气体分子在处于大气状态的处理室中流动,所以可通过使用离子发生器向流动的气体分子提供离子而从供给至处于大气状态的处理室中的衬底去除静电。也就是说,由离子发生器提供的离子可使流动的气体分子离子化,当离子化的气体分子到达衬底的带有静电的一部分时可中和衬底的该部分。
然而,用于从供给至处于大气状态的处理室中的衬底去除静电的离子发生器仅在存在气体分子流动时才能去除衬底的静电。因此,很难使用离子发生器从处于真空状态的处理室和处于真空状态的负载锁止室中的衬底去除静电,其中该处理室和该负载锁止室中没有气体分子流动。除非静电被有效地去除,否则衬底的质量会受静电影响而下降。
发明内容
本发明的方面提供了用于从衬底去除静电的设备,该设备能够通过中和及因此去除衬底的静电来防止真空中的衬底被静电损坏。
本发明的方面还提供了用于从衬底去除静电的方法,该方法能够通过中和及因此去除衬底的静电来防止真空中的衬底被静电损坏。
然而,本发明的方面并不限制于本文所阐述的方面。通过参考下面给出的本发明的详细描述,本发明的上述及其他方面对于本发明所属领域的技术人员而言将变得显而易见。
根据本发明的一方面,提供了用于从衬底去除静电的设备。该设备包括:真空室,衬底台,以及第一电极和第二电极,其中衬底台安装在真空室之内,第一电极和第二电极安装在真空室之内并与衬底台物理地分离,其中通过施加至第一电极和第二电极的不同的电压而在第一电极和第二电极之间形成电场,并且衬底台的至少一部分放置在电场之内。
正电压可施加至第一电极,负电压可施加至第二电极,其中,正电压的绝对值可等于负电压的绝对值。
多个第一电极和多个第二电极可沿衬底台的第一方向交替布置,以形成包括两个或更多电极的一列。
衬底台可被配置为沿与第一方向垂直的第二方向移动。
在第一方向上,最靠外的第一电极与最靠外的第二电极之间的距离可小于或大于放置在衬底台上的衬底的宽度。
在与第一方向垂直的第二方向上,第一电极和第二电极中每个的宽度可小于放置在衬底台上的衬底的宽度的一半。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造