[发明专利]快恢复二极管制备工艺中的铂掺杂方法及快恢复二极管有效
| 申请号： | 201410138532.1 | 申请日： | 2014-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN104979167B | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 王学良;陈宏 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L21/02;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋;杨晞 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种快恢复二极管制备工艺中的铂掺杂方法，所述方法包括如下步骤：（1）将硅片浸泡在铂掺杂溶液中，获得吸附了铂离子的硅片；（2）对步骤（1）得到的硅片进行清洗；（3）退火，获得铂掺杂的硅材料；其中，步骤（2）所述清洗的步骤为先用硫酸和双氧水的混合溶液进行清洗，之后用氢氟酸溶液进行清洗。本发明提供的方法克服了现有技术采用蒸发和溅射进行铂掺杂的技术偏见，创新性的采用溶液对硅片材料进行铂掺杂，为快恢复二极管制备工艺中的铂掺杂方法提供了一种新的思路。 | ||
| 搜索关键词： | 铂掺杂 快恢复二极管 制备工艺 清洗 硅片 双氧水 退火 氢氟酸溶液 硅片材料 混合溶液 技术采用 技术偏见 铂离子 创新性 硅材料 溅射 硫酸 吸附 浸泡 蒸发 | ||
【主权项】：
1.一种快恢复二极管制备工艺中的铂掺杂方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：(1)将硅片浸泡在铂掺杂溶液中，获得吸附了铂离子的硅片；所述硅片为PN结二极管硅片；所述铂掺杂溶液为含有铂离子的硅腐蚀体系；(2)对步骤(1)得到的硅片进行清洗；(3)退火，获得铂掺杂的硅材料；其中，步骤(2)所述清洗的步骤为先用硫酸和双氧水的混合溶液进行清洗，之后用氢氟酸溶液进行清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
