[发明专利]快恢复二极管制备工艺中的铂掺杂方法及快恢复二极管

权利要求书

1.一种快恢复二极管制备工艺中的铂掺杂方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

(1)将硅片浸泡在铂掺杂溶液中，获得吸附了铂离子的硅片；所述硅片为PN结二极管硅片；所述铂掺杂溶液为含有铂离子的硅腐蚀体系；

(2)对步骤(1)得到的硅片进行清洗；

(3)退火，获得铂掺杂的硅材料；

其中，步骤(2)所述清洗的步骤为先用硫酸和双氧水的混合溶液进行清洗，之后用氢氟酸溶液进行清洗。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅腐蚀体系由氢氟酸与硝酸、盐酸或硫酸中的任意1种或至少2种的组合。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述铂离子以氯亚铂酸铵的形式加入。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述铂掺杂溶液为含有氯亚铂酸铵的氢氟酸溶液。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述含有氯亚铂酸铵的氢氟酸溶液中，氯亚铂酸铵的浓度为0.01～10g/L去离子水；每克氯亚铂酸铵对应0.1～1000mL的氢氟酸；所述氢氟酸以30v％的浓度计。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述浸泡时间≥0.1s，浸泡温度为5～50℃。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述浸泡时间为0.1～2000s，浸泡温度为20～35℃。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述硫酸和双氧水的混合溶液按体积百分比包括如下组分：

硫酸 10～30％

双氧水 10～30％

去离子水 余量；

所述硫酸的浓度以30v％计，双氧水的浓度以35v％计。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述氢氟酸溶液中，以30v％浓度的氢氟酸计，氢氟酸与去离子水的体积比为(1～30)：100。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述清洗的方式为冲洗。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洗的温度为10～100℃。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洗的温度为20～35℃。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，用硫酸和双氧水的混合溶液进行清洗的时间≥1min。

14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，用硫酸和双氧水的混合溶液进行清洗的时间1～200min。

15.如权利要求1所述的方法，其特征在于，用氢氟酸溶液进行清洗的时间为1～3000s。

16.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(3)所述退火的方式选自炉管退火和/或红外退火。

17.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(3)所述退火之后将硅片浸泡于盐酸和双氧水的溶液中，进一步活化硅片中的铂离子。

18.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

(1)将硅片浸泡在氯亚铂酸铵的氢氟酸溶液中，获得吸附了铂离子的硅片；

(2)对步骤(1)得到的硅片先用硫酸和双氧水的混合溶液进行清洗，之后用氢氟酸溶液进行清洗；

(3)将步骤(2)清洗后的硅片进行退火，将退火后的硅片浸泡于盐酸和双氧水的溶液中清洗，取出晾干即获得铂掺杂的硅材料。

19.一种快恢复二极管，其特征在于，所述快恢复二极管采用权利要求1～18之一所述方法制备得到的铂掺杂硅材料制备得到。