[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201410137862.9 | 申请日： | 2014-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN104103683A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 高桥彻雄 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明得到一种半导体装置及其制造方法，其能够在保持稳定的耐压的同时，缩小末端构造的占有面积。在激活区域中，在n-型层（3）上设置有p型阱（4）。在p型阱（4）的外周，在n-型层（3）上作为末端构造而设置有平坦的p型RESURF层（13）。p型RESURF层（13）具有：低浓度层（13a），其配置在p型阱（4）侧的内端部和外周侧的外端部；以及高浓度层（13b），其配置在内端部和外端部之间，具有比低浓度层（13a）高的杂质浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具有：第1导电型层；第2导电型阱，其在激活区域中，设置在所述第1导电型层上；以及平坦的第2导电型RESURF层，其在所述第2导电型阱的外周，作为末端构造而设置在所述第1导电型层上，所述第2导电型RESURF层具有：低浓度层，其配置在所述第2导电型阱侧的内端部和外周侧的外端部；以及高浓度层，其配置在所述内端部和所述外端部之间，具有比所述低浓度层高的杂质浓度。
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