[发明专利]防止凸点侧向刻蚀的凸点结构及成型方法

摘要

本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，尤其是一种防止凸点侧向刻蚀的凸点结构及成型方法，属于半导体制造的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述防止凸点侧向刻蚀的凸点结构，包括基底以及位于所述基底上的绝缘层；所述绝缘层上设有金属焊盘，所述金属焊盘的外圈设有介质层，所述介质层覆盖在绝缘层上，并覆盖在金属焊盘的外圈边缘；金属焊盘的正上方设有铜柱，所述铜柱的底端依次通过种子层及粘附层与金属焊盘接触并电连接，且铜柱的底端通过种子层及粘附层支撑在介质层上，铜柱的顶端设有焊料凸点。本发明采用首先对粘附层进行图形化的方法，避免了电镀后去除粘附层容易产生侧向钻蚀的问题，提高了微凸点加工制造的可靠性和良品率。

主权项

 一种防止凸点侧向刻蚀的凸点结构，包括基底（1）以及位于所述基底（1）上的绝缘层（2）；其特征是：所述绝缘层（2）上设有金属焊盘（3），所述金属焊盘（3）的外圈设有介质层（4），所述介质层（4）覆盖在绝缘层（2）上，并覆盖在金属焊盘（3）的外圈边缘；金属焊盘（3）的正上方设有铜柱（8），所述铜柱（8）的底端依次通过种子层（6）及粘附层（5）与金属焊盘（3）接触并电连接，且铜柱（8）的底端通过种子层（6）及粘附层（5）支撑在介质层（4）上，铜柱（8）的顶端设有焊料凸点（9）。