[发明专利]一种硅管及硅管太阳电池级多晶硅棒制备方法无效
| 申请号： | 201410135268.6 | 申请日： | 2014-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN103882519A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 张忆延;张昕雨 | 申请（专利权）人： | 天津环煜电子材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/08;C30B28/14;C30B15/36 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300180 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及硅管及利用硅管制备太阳电池级本征多晶硅棒及掺硼的P型多晶硅棒的方法。使用本征导电性硅环作为籽晶，采用单晶炉及CZ法拉制具有含硼的P型或本征导电性的超纯硅管。用含硼的P型硅管作为化学法还原炉中的热载体，当载体加热温度在1050-1100℃左右时，高纯氢及三氯氢硅反应生成的硅沉积在热载体上，制备超纯的硅管多晶硅棒。用本征导电性的硅管作为容器，装入物冶法生产的原料硅，用FZ法对硅管多次定向凝固，利用分凝效应制备致密的、高纯度的硅管太阳能电池级多晶硅棒。采用本发明制备的太阳电池级多晶硅棒，为生产太阳电池级单晶硅创造了条件，进而制备高质量低成本的太阳电池，对促进光伏事业发展有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳电池 多晶 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅管的制备方法，其特征在于：使用本征导电性硅环作为籽晶，采用直拉硅单晶炉及切克劳斯基法拉制长度大于1米的等径的具有含硼的P 型或者本征导电性的硅管。
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