[发明专利]一种硅管及硅管太阳电池级多晶硅棒制备方法

权利要求书

1.一种硅管的制备方法，其特征在于：使用本征导电性硅环作为籽晶，采用直拉硅单晶炉及切克劳斯基法拉制长度大于1米的等径的具有含硼的P 型或者本征导电性的硅管。

2.一种硅管多晶硅棒的制备方法，其特征在于：用含硼的P型硅管作为化学西门子法还原炉中的热载体，当载体加热温度在1050-1100℃时，还原炉内高纯氢及三氯氢硅反应生成的硅沉积在热载体上，制备纯度99.99999%以上的硅管多晶硅棒。

3.一种硅管太阳能电池级多晶硅棒的制备方法，其特征在于：用本征导电性的硅管作为容器，装入纯度大于99.99%的物理冶金法生产的原料硅，采用区熔单晶硅炉，用悬浮区域炼熔法对硅管多次定向凝固，利用分凝效应制备纯度大于99.9999%的硅管太阳能电池级多晶硅棒。