[发明专利]一种具有网状外延结构的超结MOSFET有效
| 申请号： | 201410123064.0 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN103904120B | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 孙博韬;王立新;宋李梅;张彦飞;高博 | 申请（专利权）人： | 北京中科新微特科技开发股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京名华博信知识产权代理有限公司11453 | 代理人： | 李冬梅 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，公开了一种具有网状外延结构的超结MOSFET，包括：衬底、网状外延层、阱区、结型场效应管JFET区、栅介质层、多晶硅栅极、隔离介质层、金属源电极以及金属漏电极；在网状外延层生长在衬底上；阱区与结型场效应管JFET区相间生长在网状外延层顶部；栅介质层覆盖在阱区与结型场效应管JFET区顶部；多晶硅栅极覆盖在栅介质层上；隔离介质层覆盖多晶硅栅极顶部；金属源电极覆盖所述隔离介质层；金属漏电极位于衬底底部。本发明通过网状外延层，使得器件处于阻断状态时，不存在由外延层底部直接指向表面栅极附近的电场，从而避免器件处于阻断状态并受到重离子轰击时，由外延层底部流向表面栅极附近的电流通路，提高器件抗单粒子能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 网状 外延 结构 mosfet | ||
【主权项】：
一种具有网状外延结构的超结MOSFET，其特征在于，包括：衬底、网状外延层、阱区、结型场效应管JFET区、栅介质层、多晶硅栅极、隔离介质层、金属源电极以及金属漏电极；所述网状外延层生长在所述衬底上；所述阱区与所述结型场效应管JFET区相间生长在所述网状外延层顶部；所述栅介质层覆盖在所述阱区与所述结型场效应管JFET区顶部；所述多晶硅栅极覆盖在所述栅介质层上；所述隔离介质层覆盖所述多晶硅栅极顶部；所述金属源电极覆盖所述隔离介质层；所述金属漏电极位于所述衬底底部；所述网状外延层由多层交叠层堆叠而成；所述交叠层包括：第一导电类型条形结构与第二导电类型条形结构；多个所述第一导电类型条形结构与多个所述第二导电类型条型结构相间排列；相邻的两层所述交叠层的第一导电类型条型结构或第二导电类型条型结构的夹角α范围为：0°＜α≤90°；第n层交叠层与第n+(180/α)层交叠层中相同导电类型的条型结构平行；其中n与n+(180/α)为大于等于1的自然数；第n层交叠层与第n+(180/α)层交叠层中相同导电类型的条型结构的中心轴线在水平方向上的距离范围是大于0且小于或等于二分之一个元胞宽度；其中n与n+(180/α)为大于等于1的自然数。
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