[发明专利]一种具有网状外延结构的超结MOSFET有效
| 申请号： | 201410123064.0 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN103904120B | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 孙博韬;王立新;宋李梅;张彦飞;高博 | 申请（专利权）人： | 北京中科新微特科技开发股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京名华博信知识产权代理有限公司11453 | 代理人： | 李冬梅 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 网状 外延 结构 mosfet | ||
1.一种具有网状外延结构的超结MOSFET，其特征在于，包括：衬底、网状外延层、阱区、结型场效应管JFET区、栅介质层、多晶硅栅极、隔离介质层、金属源电极以及金属漏电极；所述网状外延层生长在所述衬底上；所述阱区与所述结型场效应管JFET区相间生长在所述网状外延层顶部；所述栅介质层覆盖在所述阱区与所述结型场效应管JFET区顶部；所述多晶硅栅极覆盖在所述栅介质层上；所述隔离介质层覆盖所述多晶硅栅极顶部；所述金属源电极覆盖所述隔离介质层；所述金属漏电极位于所述衬底底部。
2.如权利要求1所述的具有网状外延结构的超结MOSFET，其特征在于，所述网状外延层由多层交叠层堆叠而成；所述交叠层包括：第一导电类型条形结构与第二导电类型条形结构；多个所述第一导电类型条形结构与多个所述第二导电类型条型结构相间排列。
3.如权利要求2所述的具有网状外延结构的超结MOSFET，其特征在于：相邻的两层所述交叠层的第一导电类型条型结构或第二导电类型条型结构的夹角α范围为：0°～90°。
4.如权利要求2所述的具有网状外延结构的超结MOSFET，其特征在于：第n层交叠层与第n+（180/α）层交叠层中相同导电类型的条型结构平行；其中n与n+（180/α）为大于等于1的自然数。
5.如权利要求4所述的具有网状外延结构的超结MOSFET，其特征在于：第n层交叠层与第n+（180/α）层交叠层中相同导电类型的条型结构的中心轴线在水平方向上的距离范围是0到二分之一个元胞宽度；其中n与n+（180/α）为大于等于1的自然数。
6.如权利要求2～5任一项所述的具有网状外延结构的超结MOSFET，其特征在于：每层交叠层的厚度范围是0.5um～20um。
7.如权利要求6所述的具有网状外延结构的超结MOSFET，其特征在于：每层交叠层的第一导电类型条型结构和第二导电类型条型结构的宽度范围是0.2um～20um。
8.如权利要求7所述的具有网状外延结构的超结MOSFET，其特征在于：所述交叠层的层数至少为三层。
9.如权利要求2所述的具有网状外延结构的超结MOSFET，其特征在于：所述第一导电类型条型结构和所述第二导电类型条型结构的掺杂浓度范围是：1×1014～1×1018。
10.如权利要求2所述的具有网状外延结构的超结MOSFET，其特征在于：所述第一导电类型条型结构为N型，所述第二导电类型条型结构为P型的N沟道VDMOS；或者所述第一导电类型条型结构为P型，所述第二导电类型条型结构为N型的P沟道VDMOS。
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