[发明专利]一种纳米Cr3C2晶须的制备方法

摘要

本发明公开了一种纳米Cr₃C₂晶须的制备方法，1）以重铬酸铵、碳质还原剂、卤化剂作为原料，将上述原料置于蒸馏水中，搅拌均匀制得前驱体溶液；2）将前驱体溶液干燥得到蓬松的前驱体混合料；3）将前驱体混合料置于反应炉中，在Ar气或真空条件下，在700~900℃保温0.5～2h进行碳热反应，得到未提纯的纳米Cr₃C₂晶须；4）将未提纯的纳米Cr₃C₂晶须在空气中于500-600℃灼烧2-8h脱碳，然后在HF溶液中脱除Cr₂O₃，最后洗涤干燥制得晶须直径小于100nm的纳米Cr₃C₂晶须。本发明工艺简单、参数易控、成本低，制备的Cr₃C₂晶须表面光滑，晶须直径小于100nm。

主权项

一种纳米Cr₃C₂晶须的制备方法，其特征在于：制备步骤如下，1）以重铬酸铵、碳质还原剂、卤化剂作为原料，首先将上述原料置于适量蒸馏水中，并搅拌均匀制得前驱体溶液；以三种原料总质量50份计，重铬酸铵为22.72‑33.38份，碳质还原剂为14.81‑25.15份，卤化剂为0.25‑5份；2）将该前驱体溶液置于鼓风干燥箱中，在60‑120℃条件下干燥1‑5h，得到蓬松的前驱体混合料；3）将该前驱体混合料置于反应炉中，在Ar气或真空条件下，从室温升温至700~900℃并保温0.5～2h进行碳热反应，得到未提纯的纳米Cr₃C₂晶须；4）将未提纯的纳米Cr₃C₂晶须在空气中于500‑600℃灼烧2‑8h脱碳，然后在HF溶液中脱除Cr₂O₃，最后洗涤干燥制得晶须直径小于100nm的纳米Cr₃C₂晶须。