[发明专利]一种沟槽金属氧化物半导体场效应管无效
| 申请号： | 201410116708.3 | 申请日： | 2014-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN104078507A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 谢福渊 | 申请（专利权）人： | 力士科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾台北*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有自对准特点的沟槽金属氧化物半导体场效应管，可以在节省掩模版的同时，降低开启电阻。根据本发明的沟槽金属氧化物半导体场效应管包括一个介电质侧墙，包围沟槽式源体接触区的上部分，可以降低开启电阻并改善雪崩特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 金属 氧化物 半导体 场效应 | ||
【主权项】：
一种沟槽金属氧化物半导体场效应管，包括：第一导电类型的外延层；多个第一类沟槽栅，位于有源区，由第一导电类型的源区和第二导电类型的体区围绕；接触绝缘层，位于所述外延层的上表面；多个沟槽式源体接触区，穿过所述的接触绝缘层和所述的源区，并延伸入所述的体区，将所述的源区和所述的体区连接至源极金属层，其中所述的沟槽式源体接触区位于所述的接触绝缘层中的部分围绕有介电质侧墙；和在与所述的外延层上表面等距离处，所述的源区位于所述的介电质侧墙下方的掺杂浓度和结深大于其靠近相邻的沟道区的掺杂浓度和结深。
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