[发明专利]栅边界氧化层完整性测试结构无效
| 申请号： | 201410111307.9 | 申请日： | 2014-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN103943609A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 周柯;尹彬锋 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种栅边界氧化层完整性测试结构，包括：平行布置的多个导电条状部，其中所述多个导电条状部的一端电连接在一起，而且所述栅边界氧化层完整性测试结构包括形成在所述多个导电条状部中的与多晶硅栅极两侧的源漏区域相通的接触孔，而且所述接触孔中填充有导电材料以使得所述多个导电条状部分别与多晶硅栅极两侧的源漏区域电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 边界 氧化 完整性 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种栅边界氧化层完整性测试结构，其特征在于所述栅边界氧化层完整性测试结构电连接至多晶硅栅极两侧的源漏区域；而且在栅边界氧化层完整性测试时使得源漏区域接相对低的电压，使多晶硅栅极接相对高的电压。
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