[发明专利]用于制造可转移半导体结构、器件和器件构件的松脱策略有效

专利信息
申请号: 201410111306.4 申请日: 2007-09-20
公开(公告)号: CN103956336B 公开(公告)日: 2019-08-16
发明(设计)人: J·A·罗杰斯;R·G·诺奥;M·梅尔特;高興助;J·尹;E·梅纳德;A·J·巴卡 申请(专利权)人: 伊利诺伊大学评议会
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78;B81C1/00;H01L31/068;H01L31/0687;H01L31/072;H01L31/0725;H01L29/15;H01L29/20
代理公司: 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 代理人: 李洁;杨勇
地址: 美国伊*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 提供了如下的方法,其通过提供具有多个功能层和多个松脱层的多层结构,并通过利用分离一个或多个松脱层而将功能层从多层结构分离以产生多个可转移结构,来制造器件或器件构件。所述可转移结构被印刷到器件衬底或由器件衬底支撑的器件构件上。所述方法和系统提供了用于高质量且价格低廉地制造光电器件、可转移半导体结构、(光)电器件和器件构件的方式。
搜索关键词: 用于 制造 转移 半导体 结构 器件 构件 策略
【主权项】:
1.一种制造锚定到衬底的可转移半导体元件的方法,所述方法包括以下步骤:产生由所述衬底的外表面支撑的所述可转移半导体元件;提供异质锚元件,所述异质锚元件与所述可转移半导体元件物理接触且沿着所述可转移半导体元件的侧边延伸,并与所述衬底或其上设置的结构物理接触,从而将所述可转移半导体元件锚定到所述衬底,使得当去除在所述可转移半导体元件下面的牺牲层时所述异质锚元件维持所述可转移半导体元件的空间取向。
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