[发明专利]半导体器件、显示单元以及电子装置有效
| 申请号： | 201410108581.0 | 申请日： | 2014-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN104078511B | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 诸沢成浩 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本有机雷特显示器 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L29/10;H01L27/32;G02F1/136;G02F1/167 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 余刚,吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体器件、显示单元以及电子装置，其中该半导体器件包括晶体管。该晶体管包括栅电极；氧化物半导体摸，面向栅电极并且包括与栅电极重叠的第一重叠区；低阻抗区，设置在氧化物半导体膜内；以及第一分离区，设置在低阻抗区与第一重叠区之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 显示 单元 以及 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：晶体管，其中，所述晶体管包括：栅电极；氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜具有低阻抗区、面向所述栅电极且与所述栅电极重叠的重叠区、以及位于所述低阻抗区和所述重叠区之间的分离区；沟道保护膜，所述沟道保护膜覆盖所述氧化物半导体膜的所述重叠区；以及侧壁，所述侧壁覆盖所述沟道保护膜的侧表面，所述晶体管进一步包括：设置在所述沟道保护膜的与所述氧化物半导体膜相对的表面上的耐蚀刻膜。
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