[发明专利]半导体器件、显示单元以及电子装置有效
| 申请号： | 201410108581.0 | 申请日： | 2014-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN104078511B | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 诸沢成浩 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本有机雷特显示器 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L29/10;H01L27/32;G02F1/136;G02F1/167 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 余刚,吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 显示 单元 以及 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件，包括：
晶体管，其中，所述晶体管包括：
栅电极；
氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜具有低阻抗区、面向所述栅电极且与所述栅电极重叠的重叠区、以及位于所述低阻抗区和所述重叠区之间的分离区；
沟道保护膜，所述沟道保护膜覆盖所述氧化物半导体膜的所述重叠区；以及
侧壁，所述侧壁覆盖所述沟道保护膜的侧表面，
所述晶体管进一步包括：设置在所述沟道保护膜的与所述氧化物半导体膜相对的表面上的耐蚀刻膜。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅电极包括钛、铝或者铜、以及钼或者氮化钼。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，进一步包括与所述低阻抗区接触的高阻抗膜。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述低阻抗区包括以所述重叠区介于其间的方式设置的一对低阻抗区。
5.一种显示单元，所述显示单元设置有显示元件和被配置为驱动所述显示元件的晶体管，所述晶体管包括：
栅电极；
氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜具有低阻抗区、面向所述栅电极且与所述栅电极重叠的重叠区、以及位于所述低阻抗区和所述重叠区之间的分离区；
沟道保护膜，所述沟道保护膜覆盖所述氧化物半导体膜的所述重叠区；以及
侧壁，所述侧壁覆盖所述沟道保护膜的侧表面，
所述晶体管进一步包括：设置在所述沟道保护膜的与所述氧化物半导体膜相对的表面上的耐蚀刻膜。
6.根据权利要求5所述的显示单元，其中，所述显示元件是有机电致发光元件。
7.一种设置有显示器的电子装置，所述显示器设置有显示元件和被配置为驱动所述显示元件的晶体管，所述晶体管包括：
栅电极；
氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜具有低阻抗区、面向所述栅电极且与所述栅电极重叠的重叠区、以及位于所述低阻抗区和所述重叠区之间的分离区；
沟道保护膜，所述沟道保护膜覆盖所述氧化物半导体膜的所述重叠区；以及
侧壁，所述侧壁覆盖所述沟道保护膜的侧表面，
所述晶体管进一步包括：设置在所述沟道保护膜的与所述氧化物半导体膜相对的表面上的耐蚀刻膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日本有机雷特显示器，未经株式会社日本有机雷特显示器许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410108581.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于物联网的车载空调系统
- 下一篇：对冗余消费者交易规则进行过滤
- 同类专利
- 专利分类
