[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的课题在于提供包括电特性优良且可靠性高的薄膜晶体管的半导体装置及没有不均匀性地制造该半导体装置的方法。本发明的要旨在于使用包含In、Ga及Zn的氧化物半导体膜作为半导体层，并包括在半导体层和源电极层及漏电极层之间设置有缓冲层的反交错型（底栅结构）的薄膜晶体管。通过在源电极层及漏电极层和半导体层之间意图性地设置载流子浓度比半导体层高的包含In、Ga及Zn的缓冲层，形成欧姆接触。

主权项

一种用于制造半导体装置的方法，包括以下步骤：在衬底上形成栅电极层；形成覆盖所述栅电极层的栅极绝缘膜；隔着所述栅极绝缘膜在所述栅电极层上形成半导体层；在所述半导体层的沟道形成区上形成沟道保护层；在所述半导体层上形成一对缓冲层；以及在所述一对缓冲层上形成源电极层和漏电极层，其中，所述一对缓冲层具有n型导电型，且其中，通过在包含90％以上氧的气氛中进行溅射，来形成所述栅极绝缘膜、所述半导体层和所述沟道保护层中的每一个。