[发明专利]防静电TFT基板的制备方法有效
| 申请号： | 201410100346.9 | 申请日： | 2014-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN103887285B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 张迅;张伯伦;易伟华 | 申请（专利权）人： | 江西沃格光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 338004 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种防静电TFT基板的制备方法，包括提供TFT基板；采用磁控溅射制备层叠于所述TFT基板上的ITO薄膜，得到中间产品；及将所述中间产品加热至150℃～160℃，并于150℃～160℃下保温10钟～30分钟，自然冷却，得到所述防静电TFT基板的步骤。经实验表明，该方法所制备的防静电TFT基板的防ESD性能较为稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 tft 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种防静电TFT基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供TFT基板；采用磁控溅射制备层叠于所述TFT基板上的ITO薄膜，得到中间产品，其中，所述采用磁控溅射制备层叠于所述TFT基板上的ITO薄膜，得到中间产品的步骤中，所述TFT基板的温度为60℃～80℃，所述磁控溅射的电压为300V～380V，功率为2500W～3500W，所述磁控溅射的真空度为2.5×10‑1Pa～3.50×10‑3Pa，所述TFT基板与靶材的距离为70mm～80mm，所述TFT基板的运行速度为1.0m/min～1.8m/min，反应气体的流量为180sccm～220sccm，工艺气体的流量为1000sccm～1300sccm；及将所述中间产品加热至150℃～160℃，并于150℃～160℃下保温10钟～30分钟，自然冷却，得到所述防静电TFT基板；其中，所述将所述中间产品加热至150℃～160℃的操作中，升温速率为5℃/min～30℃/min。
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