[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
申请号: | 201410097580.0 | 申请日: | 2014-03-17 |
公开(公告)号: | CN104051304B | 公开(公告)日: | 2017-01-04 |
发明(设计)人: | 宗德皓太;田中孝佳;佐藤雅伸 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 宋晓宝,郭晓东 |
地址: | 日本国京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供在不使向基板供给的保护液的流量增大的情况下就能够抑制基板损伤的基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置具有:喷嘴移动单元,一边将液滴喷嘴和保护液喷嘴的位置关系保持为恒定,一边使液滴喷嘴及保护液喷嘴移动,以使喷射区域在基板的上表面内的位置在基板的上表面中心部和基板的上表面周缘部之间移动;变更控制单元,根据喷射区域在基板的上表面内的位置,变更控制着落位置和入射角度中的至少一方,在喷射区域的位置配置在基板的上表面中心部时,变更控制单元将着落位置及入射角度控制在第一状态,在喷射区域的位置配置在基板的上表面周缘部时,将着落位置及入射角度控制在与第一状态不同的第二状态。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,其特征在于,具有:基板保持单元,将基板保持为水平,旋转单元,使由所述基板保持单元保持的基板围绕铅垂的旋转轴线进行旋转,液滴喷嘴,生成向由所述基板保持单元保持的基板的上表面内的喷射区域喷射的处理液的液滴,保护液喷嘴,向所述基板的上表面喷出保护液来在所述基板的上表面上形成保护液的液膜,在由所述保护液的液膜覆盖所述喷射区域的位置的状态下,使处理液的液滴与所述喷射区域碰撞,喷嘴移动单元,一边将所述液滴喷嘴和所述保护液喷嘴的位置关系保持为恒定一边使所述液滴喷嘴以及所述保护液喷嘴移动,以使所述喷射区域的位置在所述基板的上表面中心部和所述基板的上表面周缘部之间移动,变更控制单元,根据所述喷射区域在所述基板的上表面内的位置,变更着落位置和入射角度中的至少一方,其中,所述着落位置是指,来自所述保护液喷嘴的保护液在基板的上表面上着落的相对于所述液滴喷嘴的相对的着落位置,所述入射角度是指,在从所述保护液喷嘴喷出的保护液向所述着落位置入射时的相对于所述液滴喷嘴的相对的入射角度,所述保护液喷嘴包括第一保护液喷嘴以及第二保护液喷嘴,所述第一保护液喷嘴的相对于所述液滴喷嘴的相对的位置以及姿势被设定为,在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面中心部的状态下,从所述第一保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个所述喷射区域,所述第二保护液喷嘴的相对于所述液滴喷嘴的相对的位置以及姿势被设定为,在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面周缘部的状态下,从所述第二保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个所述喷射区域,在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面中心部时,所述变更控制单元将所述着落位置以及所述入射角度控制在第一状态,在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面周缘部时,所述变更控制单元将所述着落位置以及所述入射角度控制在与所述第一状态不同的第二状态,所述变更控制单元具有喷出控制单元,在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面中心部时,所述喷出控制单元不使保护液从所述第二保护液喷嘴喷出而使保护液仅从所述第一保护液喷嘴喷出,在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面周缘部时,所述喷出控制单元不使保护液从所述第一保护液喷嘴喷出而使保护液仅从所述第二保护液喷嘴喷出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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